Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Компания ON Semiconductor представила микросхемы защиты

Компания ON Semiconductor представила микросхемы защиты



Компания ON Semiconductor представила интегрированный синфазный дроссель и микросхему защиты от электростатического разряда (ESD) для  линий высокоскоростного обмена данными.

Микросхема NUC2401MN объединяет в себе функции широкополосной дифференциальной фильтрации, интегральный режекторный аттенюатор синфазного сигнала и защиту от электростатического разряда (ESD). Совместное выполнение этих функций микросхемой обеспечивает получение преимуществ над типовыми фильтрами электромагнитных помех (EMI) и аналогами микросхемы на дискретных компонентах, при этом значительно уменьшая требуемое число компонентов.

Давая возможность конструкторам обеспечить превосходную фильтрацию и ESD защиту при экономии занимаемого места, затрат и улучшения общей надежности, микросхема прекрасно подходит для широкого спектра приложений на основе высокоскоростных дифференциальных линий обмена данными, включая USB 2.0, IEEE1394, LVDS, MIPI и MDDI.

Объединяя эквивалентную схему из пяти дискретных компонентов в корпус DFN размером всего 2мм x 2.2мм, NUC2401MN сочетает фильтрацию синфазных электромагнитных помех с ESD защитой до напряжения +/-12 кВ, в соответствии с промышленным стандартом на контактный разряд IEC61000-4-2. Величина  ESD напряжения для модели оборудования (MM) и модели тела человека (HBM) составляет 1.6 кВ и 16 кВ соответственно.

Микросхема сертифицирована в соответствии с MSL 1 и может работать в температурном диапазоне от -40 °C до 85 °C. Так как NUC2401MN является интегральным изделием, она помогает уменьшить паразитную индуктивность, что приводит к более качественной фильтрации синфазного сигнала. Частота среза ослабления синфазного сигнала составляет 40 МГц, а типовая величина импеданса для синфазного сигнала на частоте 100 МГц и 500 МГц составляет 200 Ом и 500 Ом соответственно. Для обеспечения качественной защиты от статического электричества микросхема имеет низкую величину напряжения фиксации, 10 В при импульсе тока 5 А. Максимальная величина импульсного тока составляет 19 А. 

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 09.06.2009
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics