Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: SiA447DJ и Si5429DU – новые силовые P-канальные 12V и 30V MOSFET

SiA447DJ и Si5429DU – новые силовые P-канальные 12V и 30V MOSFET



Компания Vishay расширила семейство мощных P-канальных MOSFET транзисторов двумя новыми представителями SiA447DJ и Si5429DU, с допустимыми напряжениями сток-исток 12 В и 30 В, соответственно. Транзисторы изготовлены по современной технологии TrenchFET Gen III и имеют самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала при управляющем напряжении 4.5 В. Отдельно отметим транзистор SiA447DJ, который способен уверенно открываться при напряжении на затворе до 1.5 В. Это позволяет SiA447DJ работать в составе устройств с низкой шиной питания, что особенно актуально для портативных устройств.

SiA447DJ и Si5429DU доступны в корпусах PowerPAK SC-70 и PowerPAK ChipFET, размером 2х2 мм и 1.8х3 мм, соответственно. Такие компактные корпуса позволяют значительно экономить место на печатной плате.
Ключевое преимущество

    Ультранизкое сопротивление Rds(on) при напряжении на затворе 4.5 В:
        13.5 мОм для SiA447DJ, что на 12% ниже чем у ближайших конкурентов;
        22 мОм для Si5429DU, что на 35% ниже чем у ближайших конкурентов.

    Технические характеристики представлены в таблице:

 

 

SiA447DJ

Si5429DU

VDS (В)

-12

-30

VGS (В)

8

20

RDS(ON) at 10 V (мОм)

-

15

RDS(ON) at 4.5 V (мОм)

13.50

22

RDS(ON) at 2.5 V (мОм)

19.40

-

RDS(ON) at 1.8 V (мОм)

35

-

RDS(ON) at 1.5 V (мОм)

71

-

Корпус

PowerPAK SC70

PowerPAK ChipFET

Источник: www.compel.ru/

Дата публикации: 12.02.2013
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics