Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: MOSFET-транзистор компании STM снижает сопротивление открытого состояния до нового уровня

MOSFET-транзистор компании STM снижает сопротивление открытого состояния до нового уровня



Новый, мощный MOSFET-транзистор компании STMICROELECTRONICS обеспечивает исключительно низкое, порядка микроом, сопротивление открытого состояния для обеспечения снижения потерь и увеличения эффективности работы распространенных систем блоков питания.

Это новое, N-канальное устройство с большим выходным током, предназначено, в основном, для блоков питания параллельной конфигурации, которые широко применяются для увеличения надежности систем в серверных приложениях. Компания ST разработала передовую технологию ленточной сборки, которая обеспечивает низкое сопротивление открытого состояния с типовой величиной 0,8мОм, устанавливая тем самым новую точку отсчета для сильноточных MOSFET-транзисторов.

Транзисторы с напряжением 20В, так же хорошо подходят для уменьшения потерь при выпрямлении вторичного напряжения в DC/DC-преобразователях с высокой эффективностью работы, обеспечивая превосходную защиту от короткого замыкания с очень малым временем отключения. Использование источников питания с параллельным включением часто используется для обеспечения резервирования в важных системах или для увеличения емкости. Обычно при этом используются диоды, но их можно заменить на MOSFET-транзисторы для обеспечения большей эффективности работы. Транзистор STV300NH02L с очень низкими потерями, обеспечивает значительный шаг вперед в повышении эффективности источников питания.

В настоящее время STV300NH02L выпускается в корпусе PowerSO-10.

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 07.12.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics