RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/mosfet_coolsic_1200v_d2pak_7l.html

Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм).

В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение "чип-корпус" по сравнению с  традиционными решениями. Использование технологии .XT позволяет новым транзисторам демонстрировать лучшие в классе тепловые характеристики и повысить уровень выходного тока до 14% по сравнению с аналогичными решениями, что соответствует удвоению частоты переключения или снижению рабочей температуры на 10…15°C.

Новые MOSFET оптимизированы для работы в высоковольтных приложениях и способны выдерживать короткое замыкание в течение 3 мс.

Особенности:

• Низкие потери на переключение;
• Устойчивость к короткому замыканию в течение 3 мкс;
• Технология межсоединений .XT, лучшие в классе тепловые характеристики;
• Пороговое напряжение включения VGS (th) = 4,5 В, устойчивость к паразитному включению;
• Корпус D2PAK-7L (TO263-7) с зазором и расстоянием утечки> 6,1 мм.

Области применения:

• Зарядные устройства;
• Источники бесперебойного питания (ИБП);
• Солнечные инверторы;
• Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
• Системы хранения энергии;
• Системы управления приводами.

Пример использования новых MOSFET CoolSiC 1200 В в схеме управления двигателем

Источник: www.compel.ru