Энергонезависимая память 1 Мбит с Uпит=2...3,6 В от RAMTRON
Компания RAMTRON представляет новый компонент FM25V10-G. Он имеет быстрый доступ по записи/чтению, практически неограниченное число циклов перезаписи и низкое энергопотребление (около 38 мкА на МГц), что на порядок ниже, чем в аналогичных версиях FLASH и EEPROM .
FM25V10-G - идеальная альтернатива микросхемам FLASH и EEPROM в таких применениях как:
устройства управления производственными процессами
измерительные приборы
медицинское, военное и компьютерное оборудование
автомобильные и игровые устройства
FM25V10-G имеет SPI интерфейс и содержит доступный для чтения идентификационный номер (device ID), который хранит информацию о производителе, объеме памяти и модификации микросхемы.
Доступна также версия компонента, снабженная дополнительной функцией 64-разрядного серийного номера (FM25VN10-G).
Основные характеристики:
Организация памяти FRAM: 1 Мбит (128 К × 8 бит)
1014 циклов перезаписи
Напряжение питания: 2,0…3,6 В
Последовательный интерфейс (SPI) со скоростью передачи данных до 40 MГц
Доступный для чтения ID устройства
Аппаратная и программная защита от записи
Доступный для чтения 64-разрядный серийный номер, с заводским программированием 16 разрядов по запросу пользователя (для FM25VN10-G)
Ток потребления:
в рабочем режиме на частоте 40 МГц – не более 3 мА
в режиме простоя - не более 150 мкА
в спящем режиме - не более 8 мкА
Рабочий диапазон температур: -40…+85 °С
Корпус SOIC-8
В настоящее время поставляются инженерные образцы новой микросхемы, заказать которые Вы можете, обратившись в компанию ЭЛТЕХ по адресу: ramtron@eltech.spb.ru.
Полную техническую документацию можно найти на сайте производителя: