RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/schottky_diodes_c4d.html

1200V SiC диоды Шоттки нового поколения C4D в корпусе TO-247-2 от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (CREE POWER) пополнила семейство 1200 В SiC диодов Шоттки, представив диоды нового поколения C4D в корпусе TO-247-2 на номинальные токи 10 А (C4D10120H), 15 А (C4D15120H) и 20 А (C4D20120H). Данный корпус отличается увеличенным изоляционным расстоянием между анодом и катодом, что позволяет использовать его в условиях загрязненных сред или устройствах уличного исполнения. Длина пути тока утечки по поверхности между выводами составляет величину не меньшую, чем 8 мм, что в 2 и 2,5 раза больше, чем в корпусах TO-247-3 и TO-220-2, соответственно.

В новом поколении карбид-кремниевых диодов Шоттки компании Wolfspeed (CREE POWER) применена технология MPS (Merged PiN Shottky). Благодаря наличию изолированных p+ областей вблизи барьера Шоттки, представляющих собой PiN диоды, удалось снизить токи утечки и повысить стойкость к импульсным перегрузкам по току.

MPS структура диода Шоттки и пути протекания тока

MPS структура диода Шоттки и пути протекания тока

 

Как видно из рисунка ниже, диод без MPS при повышении тока постепенно переходит в насыщение, т.е. при малом приросте прямого тока напряжение на диоде быстро возрастает, что в конечном счете приводит к тепловому пробою. В диоде с MPS структурой при достижении определенного критического значения прямого тока открываются встроенные PiN диоды, забирая на себя большую часть импульсного тока. Таким образом, повышается стойкость новых приборов к импульсным перегрузкам по току.

 

Особенности 1200 В SiC диодов Шоттки поколения C4D в корпусах TO-247-2

 

ВАХ диода с структурой MPS и без нее при воздействии импульсных токов

ВАХ диода с структурой MPS и без нее при воздействии импульсных токов

 

Целевые применения

 

Источник: www.compel.ru