RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/efc6601r_efc6602r_mosfet.html

EFC6601R и EFC6602R – новые MOSFET для коммутации батарейного питания

EFC6601R и EFC6602R - два новых встречно-сдвоенных силовых N-канальных MOSFET транзистора от компании ON Semiconductor, предназначенных для использования в переносных устройствах с батарейным питанием, где они могут играть основную роль в цепях коммутации питания, схем заряда и защиты литий-ионных (Li-ion) аккумуляторов.



Созданные для систем с питанием от одно- или двухэлементных литий-ионных батарей, новые встречно-сдвоенные MOSFET транзисторы имеют очень низкие потери на проводимость и очень малые размеры корпуса. Применение EFC6601R и EFC6602R позволят уменьшить габариты, увеличить КПД и продлить время работы разрабатываемого устройства от аккумуляторных батарей.

Максимальное напряжение исток-исток для EFC6601R составляет 24 В, а для EFC6602R – 12 В. Оба сдвоенных транзистора имеют объединенные стоки, работают при напряжении питания от 2.5 В и содержат встроенные защитные диоды.

НаименованиеUси (макс.), ВUзатв (макс.), ВIс (макс.), APрасс (макс.), ВтRси(вкл,макс) @Uз=2.5В, мОмRси(вкл,макс) @Uз=4.5В, мОмQз(тип) @Uз=4.5В, нКлКорпус
EFC6601R24121321711.548WLCSP-6
EFC6602R1212182115.955WLCSP-6

Источник: compel.ru