RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/igbt_gen8_ir.html

IGBT поколения Gen8 от IR для эталонной эффективности и надежности

Компания International Rectifier выпустила серию IGBT при изготовлении которых была использована технология нового поколения – Gen8. Новые транзисторы используют самую последнюю версию "Field-stop trench"-технологии изготовления кристаллов IGBT и рассчитаны на напряжение 1200 В. Транзисторы выпускаются в корпусах промышленного стандарта TO-247.

Новые транзисторы охватывают диапазон рабочих токов от 8 А до 60 А, обладают типовым значением параметра Vce(on)=1.7 В и областью безопасной работы в режиме КЗ (SCSOA) до 10 мкс. Все это позволяет снизить тепловые потери, повысить выходную плотность мощности и обеспечить высокую надежность промышленных систем.

Новая технология позволяет минимизировать крутизну изменения напряжения dv/dt, уменьшая уровень ЭМИ и снижая уровни перенапряжения, и делает IGBT Gen8 идеальным решением для построения электроприводов. Рабочая частота коммутации этих транзисторов составляет от 0 до 8 кГц (fast speed range).

Появление данной новой технологии и ультрасовременной кремниевой платформы изготовления IGBT явилось результатом работы компании IR по развитию технологий в силовой электронике в течение нескольких десятилетий. Цель компании – достичь 100% возможности использования ее компонентов в инверторах для управления электродвигателями различной мощности с целью более эффективного использования электрической энергии и улучшения экологии окружающей среды.

Наименование

Напряжение, В

Vce(on) тип., В

Ток Ic при 100°С, А

Ets тип. при 25°С, мДж

Падение на диоде VF тип., В

Энергия рассеяния макс., Вт

IRG8P08N120KD

1200

1.7

8

0.6

2.3

89

IRG8P15N120KD

15

1.2

2.1

125

IRG8P25N120KD

25

1.7

2.1

180

IRG8P40N120KD

40

3.4

2.1

305

IRG8P50N120KD

50

4.2

2.1

350

IRG8P60N120KD

60

5.1

2.3

420

Источник: www.compel.ru