Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: N-канальные MOSFET от VISHAY с двусторонним охлаждением

N-канальные MOSFET от VISHAY с двусторонним охлаждением



Компания VISHAY INTERTECHNOLOGY добавила к своему семейству мощных транзисторов Polar PAK с двусторонним охлаждением три новых MOSFET с напряжением  20, 30 и 40В, что позволяет разработчикам добиться дальнейшего снижения габаритов и стоимости разрабатываемых систем, за счет лучших тепловых характеристик транзисторов.

Новые транзисторы VISHAY Siliconix PolarPAK, предназначенные для синхронных выпрямителей, встроенных преобразователей и силовых ORing каскадов в системах телекоммуникаций и передачи данных, демонстрируют на 48% лучшее прямое сопротивление (сопротивление открытого канала) и на 12% лучший параметр качества (FOM), по сравнению с характеристиками существующих аналогов с двусторонним охлаждением. В итоге снижаются потери и потребляемая системой мощность.

Конструкция PolarPAK с двусторонним отводом тепла и принудительным воздушным охлаждением обеспечивает большую плотность тока, что приводит к более компактной конструкции системы или к сокращению числа параллельно включенных транзисторов.

В случае необходимости параллельного включения PolarPAK упрощает конструкцию за счет плоской системы выводов, до минимума снижающей индуктивность монтажа на плату, что повышает КПД, особенно на высоких частотах. Приборы в корпусах PolarPAK имеют одинаковую с SO-8 площадь монтажа, но вдвое тоньше по высоте (0,8 мм). Величины прямого сопротивления транзисторов SiE810DF и SiE808DF с напряжением 20В, SiE806DF (30В) и SiE812DF (40В) лежат в интервале от 1,4 до 2,6мОм. Величина произведения прямого сопротивления и величины заряда затвора (FOM) также исключительно мала.

При значении FOM в 127,5 и 135,2 нКул, соответственно, транзисторы с напряжением 30 и 40В обеспечивают практически те же значения параметра качества и при использовании их в синхронных выпрямителях, что дает возможность успешно реализовать увеличенное до 40В напряжения пробоя.
Для применений, в которых снижение динамических потерь (при переключении) более критично, чем уменьшение статических (омических) потерь, VISHAY также предлагает использовать два транзистора PolarPAK, но с чуть худшими значениями прямого сопротивления. Например, SiE830DF (30В) и  SiE832DF (40В) при напряжении затвора 10В имеют величины прямого сопротивления. 4,2 и 5,5мОм, соответственно.

В дополнение к сниженному энергопотреблению и преимуществам по тепловым характеристикам мощные Siliconix PolarPAK MOSFET гарантируют разработчикам, при их использовании, максимум гибкости, надежности и простоты. Один и тот же размер корпуса и расположение выводов во всем семействе приборов, вне зависимости от размера чипа, исключает необходимость перекомпоновки прибора, при появлении кремниевых чипов нового поколения. Стандартная рамка с выводами и пластиковая заливка корпуса обеспечивают лучшую защиту чипа. В результате PolarPAK быстро заработал репутацию первого MOSFET корпуса с двусторонним охлаждением и используется теперь многими поставщиками мощных приборов.

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 12.02.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics