Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Размер ферроэлектрического ОЗУ компании RAMTRON INTERNATIONAL CORP вырос до 4Мбит

Размер ферроэлектрического ОЗУ компании RAMTRON INTERNATIONAL CORP вырос до 4Мбит



Компания RAMTRON INTERNATIONAL CORP выпустила первую в полупроводниковой промышленности 4Мбит FRAM – микросхему ферроэлектрического ОЗУ наивысшей плотности, увеличивающую доступный на сегодняшний день объем энергонезависимого ОЗУ в четыре раза. FM22L16 – 4Мбит параллельное энергонезависимое ОЗУ с 3В питанием в 44-выводном тонком компактном пластиковом (TSOP) корпусе, обеспечивающее быстрое время доступа, теоретически неограниченное число циклов чтения/записи и низкое потребление энергии. Повыводно совместимая с асинхронным статическим ОЗУ (SRAM), FM22L16 предназначена для промышленных управляющих систем, таких как роботы, сетевое оборудование и приложения накопления данных, многофункциональные принтеры, автомобильные навигационные системы и как база другой основанной на ОЗУ аппаратуры.

«FRAM объемом 4Мбит образует новую технологическую основу, благодаря которой RAMTRON и ее FRAM будут использованы в новой, передовой аппаратуре», - заявляет Майк Алвейс (Mike Alwais) вице-президент компании RAMTRON. «FM22L16 переводит технологию FRAM в основную и проверенную технологию производства компании TEXAS INSTRUMENTS, которая используется для создания многих новых дискретных и интегральных продуктов. Настояая презентация позиционирует FRAM как идеальное решение для создания энергонезависимой памяти с возможностью перекраивания ситуации на рынке памяти».

FM22L16 организована как 256Kx16бит энергонезависимая память, с доступом по стандартному промышленному параллельному интерфейсу. Время доступа составляет 55нс, а время цикла – 110нс. Считывание и запись содержимого микросхемы происходит со скоростью определяемой шиной по принципу  «NoDelay». Ресурс микросхемы  минимум 100 триллионов операций записи, а срок хранения данных - 10 лет. 4Мбит FRAM является прямой заменой для стандартных асинхронных микросхем ОЗУ, но имеет перед ними значительное преимущество, так как не нуждается в батарейках для реализации энергонезависимости и обладает значительно большей надежностью благодаря своей монолитной конструкции. FM22L16 – полностью монтируемое на поверхность решение, не требующее никаких затрат для замены батареек и в отличие от ОЗУ, устойчиво к влажности, ударам и вибрации. Имея стандартный интерфейс для подключения к современным высокопроизводительным микропроцессорам, FM22L16 обеспечивает скоростной страничный режим работы, который обеспечивает проведение пакетного считывания/записи 4байт с частотой до 40МГц, значительно превосходя скорость шины обычную для традиционных ОЗУ. Микросхема имеет уменьшенный ток потребления по сравнению с обычными ОЗУ, потребляя 18мА во время чтения/записи и демонстрируя чрезвычайную экономичность в режиме ожидания – 5мкА. Она работает от питающего напряжения в диапазоне 2,7…3,6В в промышленном температурном диапазоне от -40° до +85°C. FM22L16 производится по испытанному передовому 130нм КМОП технологическому процессу компании TI. Для подключения энергонезависимого FRAM модуля, по сравнению со стандартным 130нм КМОП процессом, требуется всего две дополнительные операции нанесения маски.

Микросхема выпускается в 44-выводном TSOP-II корпусе, который удовлетворяет требованиям RoHS.

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 05.04.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics