на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

Новости электроники
2 недели назад

SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки


Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM) – это широкий выбор транзисторов по сопротивлению открытого канала (Rds(on)), а также наименьшее среди аналогов сопротивление канала в дискретном выводном корпусе
Новые транзисторы будут выпускаться в стандартных для отрасли выводных корпусах (TO-247-3 и TO-247-4), а C3M0120065J – также в SMD-корпусе TO-263-7.

Технические особенности:

  • Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM);
  • Превосходные параметры устройства на системном уровне;
  • Работа на высоких частотах (свыше 200 кГц);
  • Надёжный антипараллельный диод с малым временем обратного восстановления;
  • Малые значения паразитных емкостей;
  • Стандартные для отрасли корпуса (TO-247-3, TO-247-4, TO-263-7);

 

Целевые применения:

  • Серверные источники питания;
  • Зарядные устройства;
  • Системы бесперебойного питания;
  • Инверторы для солнечной энергетики;

Источник: www.compel.ru


Другие новости ...