Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: ИС от STMicroelectronics для защиты быстродействующего USB-порта от статического напряжения

ИС от STMicroelectronics для защиты быстродействующего USB-порта от статического напряжения



Компания STMicroelectronics может теперь полностью выполнить требования по защите быстродействующих USB-портов линий данных и шины питания от статического напряжения при помощи ИС в миниатюрном QFN-6-корпусе размерами 1,0x1,45x0,65мм.

Микросхема USBULC6-2M6 при максимальной паразитной емкости 0,85пФ на частоте 240МГц снижает искажения и обеспечивает максимальную реактивную нагрузку линии менее 10пФ, что позволяет увеличить ее пропускную способность до 480Mб/с.

Миниатюрность и малая высота корпуса делают упомянутую ИС идеальной для сотовых телефонов, карманных компьютеров, персональных медиапроигрывателей и других мобильных высокоскоростных коммуникаторов, требующих защиты в соответствии со стандартом IEC61000-4-2. Прибор отвечает четвертому уровню защиты, т.е. устойчив к электростатическому разряду величиной 15кВ при воздушном зазоре и 8кВ при непосредственном контакте, а также имеет напряжение пробоя 6,1В. Кроме того, максимальный уровень тока утечки, равный 0,5мкА, снижает потребляемую мощность и увеличивает время работы батареи. 

USBULC6-2M6 имеет оптимизированную конструкцию с разводкой выводов корпуса по ходу сигнала, что упрощает трассировку платы и обеспечивает согласование импедансов во всей линии. Прибор представляет из себя две цепочки из защитных диодов, включенных навстречу друг другу и имеющих разбаланс по емкости менее 0,1пФ, что определяет широкую область его применений в быстродействующих дифференциальных и несимметричных схемах.

Практически нулевые вносимые потери до частоты 3ГГц позволяют использовать его как для схем Ethernet-гигабитного уровня, так и для перспективных высокоскоростных протоколов. К дополнительным преимуществам относится очень низкое напряжение ограничения по сравнению с металлооксидными варисторами, - альтернативными приборами данного применения, что улучшает защиту CMOS ИС с проектными нормами менее 100нм.

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 22.05.2008
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics