RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/hand_book/documentation/microcircuit_power_supply_led_driver_analog_devices_part_3.html

Микросхемы для источников питания и драйверов светодиодов компании Analog Devices (Часть 3)

Схема включения ИМС ADP1607

Рис. 13. Схема включения ИМС ADP1607

 

 

Структура микросхем ADP2323/ADP2325

Рис. 14. Структура микросхем ADP2323/ADP2325 (по клику крупно)

 

Схема источника питания с выходными напряжениями 3,3 и 1,8 В (Iвых = 5 А) на основе микросхемы ADP2325

Рис. 15. Схема источника питания с выходными напряжениями 3,3 и 1,8 В (Iвых = 5 А) на основе микросхемы ADP2325

 

Типовая схема включения ИМС ADP2164

Рис. 16. Типовая схема включения ИМС ADP2164

 

Структура ИМС ADP5054

Рис. 17. Структура ИМС ADP5054 (по клику крупно)

 

Каналы 1 и 2 рассчитаны на работу с внешними полевыми транзисторами нижнего плеча, максимальный выходной ток программируется пользователем и может иметь значения 2/4/6 А на канал. Максимальный выходной ток каналов 3 и 4 фиксирован на значении 2,5 А (без внешних транзисторов). При параллельной работе каналы 1 и 2 могут обеспечить выходной ток до 12 А, каналы 3 и 4 - до 5 А. Схема источника питания для ПЛИС (FPGA) и устройств памяти приведена на рис. 18, при указанных на схеме номиналах элементов источник обеспечивает выходные напряжения 1,2 В (ток 6 А, канал 1), 2,5 В (2 А канал 2), 1,5 В (2 А, канал 3) и 3,3 В (2 А, канал 4). В качестве транзисторов Q1, Q2 используется сборка полевых N-канальныхтранзисторов Si7232DN компании Vishay, выполненных по технологии TrenchFET с малым сопротивлением открытого канала RDS ON (0,0164 Ом при Vgs=4,5 В).

Схема источника питания для ПЛИС (FPGA) и устройств памяти на основе ИМС ADP5054

Рис. 18. Схема источника питания для ПЛИС (FPGA) и устройств памяти на основе ИМС ADP5054 (по клику крупно)

 

При входном напряжения 4,5...15,5 В микросхема обеспечивает точность поддержания установленных выходных напряжения ±1,5% в диапазоне температур -40...+125 ºС, частота коммутации, устанавливаемая пользователями, может находиться в пределах 0,25...2 МГц.

По сходной структуре выполнены и другие микро-схемы серии ADP505x: ADP5050, ADP5052 - 4 канала и один стабилизатор с малым падением напряжения (LDO); ADP5051, ADP5053 - 4 канала плюс супервизор.

Структура микросхемы ADP5041

Рис. 19. Структура микросхемы ADP5041

 

Типовое включение ИМС ADP5041 для питания и мониторинга микропроцессоров мобильных устройств

Рис. 20. Типовое включение ИМС ADP5041 для питания и мониторинга микропроцессоров мобильных устройств

 

Стабилизаторы LDO при емкости выходного керамического конденсатора фильтра емкостью 2,2 мкФ обеспечивают стабильную работу с высоким подавлением помех PSRR (Power Supply Ripple rejection) 57...66 дБ и низким уровнем шума 60...130 мкВ rms, падение напряжения 70...180 мВ в зависимости от выходного напряжения.

Универсальные DC/DC-преобразователи напряжения Analog Devices, выполненные в корпусах LFCSP, при высоких энергетических характеристиках отличаются чрезвычайно малыми габаритами, и это при том, что силовые полевые транзисторы интегрированы на одном кристалле у многих типов рассмотренных в статье микросхем. Это обстоятельство свидетельствует о малом выделении тепла на самих микросхемах и высокой эффективности преобразователей при их применении,что особенно важно в разнообразных устройствах с питанием от батарей. В качестве наглядного примера рассмотрим особенности понижающих преобразователей ADP2105/2106/2107 с интегрированными полевыми транзисторами с N- и P-каналами, выполненных в корпусах LFCSP размерами 4x4x0,85 мм. Микросхемы предназначены для применения в порта-
тивной и мобильной аппаратуре с питанием от батарей различного типа с напряжением 2,7...5,5 В, структура микросхем приведена на рис. 21, принципиальная схема преобразователя напряжения 5 В/3,3 В на микросхеме ADP2107 приведена на рис. 22.
Рассматриваемые ИМС отличаются экстремально высокой эффективностью, достигающей 97% при токах нагрузки порядка 1 А и падении напряжения (Uвх/Uвых) порядка 1 В. На рис. 23 приведены зависимости эффективности преобразователя (рис. 22) от выходного тока при различных входных напряжениях (с индуктивностью нагрузки 2,5 мкГн с активным сопротивлением 13 мОм). Высокая частота коммутации преобразователей (1,2 МГц) позволяет использовать компактные катушки индуктивности нагрузки (0,83...2,18 мкГн) с размерами основания порядка 5x5 мм производства компаний Sumida, Toko, Coilcaft, Cooper, Bussmann.

Структура ИМС ADP2105/2106/2107

Рис. 21. Структура ИМС ADP2105/2106/2107

 

Принципиальная схема преобразователя напряжения 5/3,3 В на ИМС ADP2107

Рис. 22. Принципиальная схема преобразователя напряжения 5/3,3 В на ИМС ADP2107

 

График зависимости эффективности преобразователя от выходного тока при различных входных напряжениях

Рис. 23. График зависимости эффективности преобразователя от выходного тока при различных входных напряжениях

 

Применение Р-канальных полевых транзисторов в верхних плечах выходных ключей позволяет реализацию работы в режиме с коэффициентом заполнения импульсов 100% (режим LDO с полностью открытым каналом в верхнем плече).

Интернет-источники

1.http://components.about.eom/od/Companies/p/ The-History-Of-Analog-Devices.htm

2.http://www.analog.com/parametricsearch/ ru/10573#10573/p4666=Switching%20Regulator

Автор: Юрий Петропавловский (г. Таганрог)

Источник: Ремонт и сервис