RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/suncoyj_hybrid_igbt_modules.html

Гибридные IGBT-модули SUNCOYJ c интегрированными SiC-диодами для эффективных инверторов

Компания SUNCOYJ, являющаяся одним из ведущих разработчиков и производителей полупроводников в Китае, анонсировала выпуск новых модулей IGBT (таблица 1), предназначенных для построения инверторов переменного или постоянного тока. Данные модули рекомендуется применять в преобразователях солнечной энергии, однако они также отлично подойдут для любых применений, требующих высокой частоты переключений и низких потерь мощности.

Модули выполнены в корпусах N2, N3, P3S и P4M (рисунок 1). Интегрированные антипараллельные карбид-кремниевые диоды обеспечивают высокую эффективность преобразования благодаря уменьшению потерь на включение.

Особенности новых модулей:

• максимальное напряжение интегрированных транзисторов составляет 1200 В для инверторов мощностью 60…80 кВт и 650 В для инверторов мощностью до 110 кВт;
• два варианта внутренней топологии: для классических повышающих (Boost) преобразователей и для трехуровневых преобразователей T-типа (T-Type Three Level);
• интегрированные антипараллельные карбид-кремниевые диоды с быстрым восстановлением;
• малые потери переходных процессов и напряжение насыщения транзистора повышают эффективность инверторов солнечных панелей и иных приложений;
• максимальная температура кристалла 175°C;
• В качестве подложек, обеспечивающих эффективный отвод тепла и изоляцию, используются DBC (Direct Bonded Copper) для корпуса P3S, медь для корпусов N2 и N3 и IMS (Insulated Metal Substrate) для корпуса P4M.

Рис. 1. Внешний вид модулей в корпусах: а) N2; б) N3; в) P3S, г) P4M

Таблица 1. Новые IGBT-модули производства компании SUNCOYJ

Источник: www.compel.ru