RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/mit_twin_puf_dvuhchipovaya_autentifikaciya_bez_serverov.html

MIT разработала двухчиповую аутентификацию для защиты криптографических схем

Учёные Массачусетского технологического института (MIT) представили новую технологию изготовления чипов по CMOS-процессу, которая позволяет двум чипам делить уникальный физический "отпечаток пальца". Это даёт возможность прямой взаимной аутентификации без хранения секретных ключей на сторонних серверах. Новая система "twin PUF" существенно повышает безопасность оборудования, конфиденциальность и энергоэффективность для устройств Интернета вещей и edge-систем.

Концепция двухчиповой аутентификации MIT twin PUF

MIT Twin PUF: два чипа делят уникальный физический отпечаток для прямой аутентификации

Как работает Twin PUF

На этапе обработки пластины (до разделения на кристаллы) вдоль краёв двух соседних чипов размещаются специальные транзисторные структуры, соединённые металлическими слоями. Встроенные фотодиоды преобразуют свет от LED в энергию, которая питает схему и вызывает контролируемый пробой затворного оксида в выбранных транзисторах. Из-за естественных вариаций производства время пробоя отличается случайным образом, формируя уникальные электрические состояния - отпечаток PUF.

В "двойной" конфигурации четыре транзистора (по два на каждом чипе) участвуют в одном событии пробоя, создавая взаимодополняющие, но идеально совпадающие ответы. После разделения пластины два чипа образуют пару с коррелированной случайностью.

Процесс создания twin PUF с пробоем оксида затвора

Процесс изготовления: общий пробой оксида затвора с питанием от LED

Ключевые результаты прототипа

Преимущества перед традиционными PUF

Сравнение традиционного PUF и MIT twin PUF

Традиционный PUF против MIT Twin PUF: отказ от серверов

Возможные применения

Технология особенно перспективна для:

Новый подход переносит безопасность на физический уровень кремния, делая криптографические схемы более надёжными для ресурсосберегающих устройств.

Прототип массива PUF 128x8 в 65 нм

Прототип: массивы PUF 128 × 8, изготовленные по 65-нм CMOS-техпроцессу