RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/rohm_tsc3pak_korpus_dlya_poverhnostnogo_montazha_vysokovoltnyh_sic.html

Rohm представила корпус TSC3PAK для поверхностного монтажа высоковольтных SiC MOSFET

Компания Rohm Semiconductor выпустила TSC3PAK — новый корпус для поверхностного монтажа мощных кремний-карбидных (SiC) MOSFET. Корпус с топовым охлаждением обеспечивает тепловые характеристики, сравнимые с традиционными корпусами со сквозными выводами, при этом позволяя использовать автоматизированный монтаж и повышать плотность мощности.

Основные характеристики

• Топовое охлаждение (top-side cooling) для эффективного отвода тепла
• Поддержка SiC MOSFET класса 1200 В
• Расстояние утечки 6,66 мм для повышенной надёжности изоляции
• Тепловые характеристики на уровне традиционных корпусов со сквозными выводами
• Совместимость с автоматизированным поверхностным монтажом
• Компактные размеры для повышения плотности мощности

Специальная канавка в конструкции корпуса обеспечивает необходимое расстояние утечки при сохранении стандартных посадочных размеров. Это позволяет использовать поверхностный монтаж в высоковольтных системах без ущерба для безопасности.

Целевые применения

• Бортовые зарядные устройства и электрические компрессоры электромобилей
• Солнечные инверторы
• Блоки питания серверов
• Промышленное силовое оборудование

Новый корпус TSC3PAK помогает разработчикам создавать более компактные, эффективные и технологичные решения для автомобильной и промышленной силовой электроники.

Источник: Electronics For You