Компания Rohm Semiconductor выпустила TSC3PAK — новый корпус для поверхностного монтажа мощных кремний-карбидных (SiC) MOSFET. Корпус с топовым охлаждением обеспечивает тепловые характеристики, сравнимые с традиционными корпусами со сквозными выводами, при этом позволяя использовать автоматизированный монтаж и повышать плотность мощности.
Rohm TSC3PAK — новый корпус для поверхностного монтажа высоковольтных устройств
Основные характеристики
- Топовое охлаждение (top-side cooling) для эффективного отвода тепла
- Поддержка SiC MOSFET класса 1200 В
- Расстояние утечки 6,66 мм для повышенной надёжности изоляции
- Тепловые характеристики на уровне традиционных корпусов со сквозными выводами
- Совместимость с автоматизированным поверхностным монтажом
- Компактные размеры для повышения плотности мощности
Специальная канавка в конструкции корпуса обеспечивает необходимое расстояние утечки при сохранении стандартных посадочных размеров. Это позволяет использовать поверхностный монтаж в высоковольтных системах без ущерба для безопасности.
Целевые применения
- Бортовые зарядные устройства и электрические компрессоры электромобилей
- Солнечные инверторы
- Блоки питания серверов
- Промышленное силовое оборудование
Новый корпус TSC3PAK помогает разработчикам создавать более компактные, эффективные и технологичные решения для автомобильной и промышленной силовой электроники.
Источник: Electronics For You