RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/microchip-pol-05-20s-t-20a-gan-converter-for-space.html

Microchip POL-05-20S-T — радиационно-стойкий GaN-преобразователь на 20 А для космических аппаратов

Радиационно-стойкий GaN-преобразователь точки нагрузки Microchip POL-05-20S-T

Компания Microchip Technology расширила линейку источников питания для космической техники, представив POL-05-20S-T - радиационно-стойкий преобразователь точки нагрузки (POL, point-of-load) на силовых транзисторах из нитрида галлия (GaN). Модуль отдаёт до 20 А непрерывного выходного тока и предназначен для питания ядерных шин ПЛИС, микроконтроллеров и специализированных микросхем (ASIC) в спутниках и других космических аппаратах, где нагрузка меняется очень быстро, а каждый грамм и кубический миллиметр на счету.

Современные бортовые вычислители потребляют большие и резко меняющиеся токи от низковольтных шин питания ядра. Применение GaN-ключей позволило совместить в POL-05-20S-T высокую удельную мощность и быструю реакцию на переходные процессы, так что разработчики могут питать производительные процессоры без увеличения объёма подсистемы электропитания.

Основные характеристики

Силовой каскадGaN-транзисторы, синхронная понижающая (buck) топология
Способ управленияУправление по току (current-mode) с регулированием просадки выходного напряжения (droop)
Выходной токДо 20 А, непрерывный
Диапазон входного напряжения4,75…13,2 В
Выходное напряжениеРегулируемое, 0,7…5 В
Накопленная доза (TID)Параметры нормированы до и после облучения дозой до 50 крад
Одиночные эффекты (SEE)Характеризован при ЛПЭ до 43 МэВ·см²/мг
Рабочая температура−55…+100 °C при полной нагрузке
Габариты38,4 × 38,4 × 11,4 мм
Масса25 г
МонтажПоверхностный (SMD)

Функции управления и защиты

Для жёстких условий орбиты

Широкий диапазон входного напряжения позволяет подключать преобразователь к типовым промежуточным шинам 5 и 12 В и формировать как напряжение ядра процессора ниже 1 В, так и 5 В для периферийной логики. Электрические параметры гарантируются до и после облучения накопленной дозой до 50 крад, а устойчивость к одиночным эффектам подтверждена при линейной передаче энергии до 43 МэВ·см²/мг, что покрывает типовые требования для низкоорбитальных и многих среднеорбитальных миссий. Работа при полной нагрузке в диапазоне от −55 до +100 °C позволяет модулю переносить значительные перепады температуры при переходе аппарата между освещённым и теневым участками орбиты.

По словам представителей Microchip, разработчики космических систем интегрируют всё более мощные цифровые вычислители, что повышает спрос на компактные источники питания, быстро реагирующие на изменения нагрузки и надёжно работающие в условиях радиации. POL-05-20S-T дополняет существующее семейство радиационно-стойких решений компании для космической отрасли.

Источник: electronicsforu.com