Ферроэлектрическая память емкостью 2Мбит от Ramtron - версия для печати

RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/fm25h20_ramtron.html

Ферроэлектрическая память емкостью 2Мбит от Ramtron

FM25H20 – ферроэлектрическая память емкостью 2 Мбит в 8-выводном корпусе TDFN. Может быть использована для замены последовательной Flash-памяти в сложных электронных системах с высокой степенью интеграции элементов и с ограничениями по энергопотреблению. По сравнению с Flash-памятью, FRAM потребляет меньше энергии - 10мА, обеспечивает более высокую скорость записи - 40МГц и сроки хранения данных до 10 лет.

Отличительные особенности:

организация памяти: 256Кх8бит;
интерфейс: SPI;
частота шины: до 40МГц;
напряжение питания: 2,7...3,6В;
ток потребления в режиме энергосбережения: 3мкА;
число циклов чтения/записи: 10¹⁴;
тип корпуса: TDFN-8;
температурный диапазон: -40°C...+85°C.

Функциональная схема устройства приведена ниже.

Области применения: системы промышленного контроля, медицинская техника.

Источник: terraelectronica.ru