FM25H20 – ферроэлектрическая память емкостью 2 Мбит в 8-выводном корпусе TDFN. Может быть использована для замены последовательной Flash-памяти в сложных электронных системах с высокой степенью интеграции элементов и с ограничениями по энергопотреблению. По сравнению с Flash-памятью, FRAM потребляет меньше энергии - 10мА, обеспечивает более высокую скорость записи - 40МГц и сроки хранения данных до 10 лет.Отличительные особенности:
- организация памяти: 256Кх8бит;
- интерфейс: SPI;
- частота шины: до 40МГц;
- напряжение питания: 2,7...3,6В;
- ток потребления в режиме энергосбережения: 3мкА;
- число циклов чтения/записи: 1014;
- тип корпуса: TDFN-8;
- температурный диапазон: -40°C...+85°C.
Функциональная схема устройства приведена ниже.
Области применения: системы промышленного контроля, медицинская техника.
Источник: terraelectronica.ru