Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Первый в мире 1000V SiC MOSFET

Первый в мире 1000V SiC MOSFET



Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфолио новыми приборами.

Класс напряжения новых карбид-кремниевых транзисторов 1000 В позволяет проявить определенную гибкость в разработке изделий. Такой номинал напряжения, во-первых, охватывает большинство основных топологий силовых устройств. Во-вторых, для многих приложений уже нет необходимости использовать приборы на 1200 В, которые, как правило, более дорогие.

В течение последних 5 лет SiC MOSFET нашли свою нишу в силовых преобразователях для альтернативной энергетики, промышленных источниках питания и зарядных станциях электротранспорта, во многих случаях заменяя кремниевые IGBT. Карбид-кремниевые транзисторы превосходят традиционные кремниевые полевые транзисторы по основному технологическому показателю качества – Figure–Of–Merit (FOM определяется как Rds(on)·Qgate).

SiC MOSFET 3-го поколения:

Наименование

Vds(max) (В)

Rds(on) @ 25°C (мОм)

Ток Id @ 25°C (А)

Корпус

C3M0065090J

900

65

35

D2PAK-7

C3M0065090D

65

36

TO-247-3

C3M0120090D

120

23

TO-247-3

C3M0120090J

120

22

D2PAK-7

C3M0280090J

280

11.5

D2PAK-7

C3M0280090D

280

11.5

TO-247-3

C3M0065100K

1000

65

35

TO247-4

C3M0065100J

65

35

D2PAK-7

C3M0120100K

120

22

TO247-4

C3M0120100J

120

22

D2PAK-7

 

Технические особенности:

  • Новейшая технология производства кристаллов SiCC3M™;
  • Уменьшение паразитной индуктивности вывода за счет соединения Кельвина цепи управления транзистором;
  • Расстояние утечки тока по поверхности корпуса между стоком и истоком (Creepage distance) – 7 мм (корпус D2PAK-7L) и 8 мм (корпус TO247-4L);
  • Высокое блокирующее напряжение Vds(max) при низком сопротивлении Rds(on);
  • Работа преобразователей на высокой частоте коммутации;
  • Сверхнизкий заряд обратного восстановления диода Qrr;
  • Ультра-низкая выходная ёмкость Сoss приборов – не более 60 пФ позволяет существенно снизить потери переключения транзистора;
  • Стойкость транзистора к лавинному пробою.

 

Системные преимущества:

  • Снижение потерь переключения на порядок (по сравнению с Si-IGBT);
  • Меньше мощность потерь – ниже требования к системе охлаждения;
  • Высокая частота коммутации позволяет уменьшить размеры компонентов и, следовательно, удешевить их;
  • Обеспечение более высоких удельных показателей преобразователей;
  • Значительное повышение КПД преобразователя и уменьшение требований к системе охлаждения.

 

Целевые применения:

  • Инверторы напряжения;
  • Зарядные устройства;
  • Промышленные источники питания;
  • Высоковольтные DC-DC преобразователи.

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 19.07.2017
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics