Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Кампания Samsung представила 90-нанометровые ячейки памяти XDR DRAM емкостью 512 Мбит

Кампания Samsung представила 90-нанометровые ячейки памяти XDR DRAM емкостью 512 Мбит



Микросхемы ультрабыстрой памяти XDR DRAM емкостью 512 Мбит от Samsung предназначенны для мультимедийных приложений, в том числе для для применения в PlayStation 3.

Компания Samsung Electronics представила первый 512-мегабитный образец памяти XDR (eXtreme Data Rate) DRAM, произведенный по 90-нм технологии.

Это самая быстродействующая на сегодняшний день память для мультимедийных приложений. Новые 512-мегабитные микросхемы XDR DRAM от Samsung способны передавать данные на скорости до 9,6 Гбайт/с - в 12 раз быстрее, чем память DDR400, и в 6 раз быстрее, чем RDRAM(PC800), самая быстрая на сегодня память. При изготовлении новой памяти была применена усовершенствованная 90-нм технология производства микросхем, что позволило достичь пиковой производительности до 4,8 Гбайт/с при напряжении питания 1,8 В.

Память eXtreme Data Rate DRAM предназначена для применения в высокопроизводительных приложениях, оперирующих большими объемами графических данных и требовательных к полосе пропускания памяти, таких как игровые консоли последнего поколения, цифровое телевидение, серверы и рабочие станции high-end класа.

Разработанные Samsung Semiconductor ячейки памяти XDR DRAM основаны на применении механизма взаимодействия с памятью XDR, созданного компанией Rambus (NASDAQ:RMBS). Данный стандарт поддерживает широкий спектр требований по вводу/выводу данных и доступен в версии x2, x4, x8 или x16. Согласно данным исследовательской компании IDC, рынок памяти XDR DRAM будет стабильно расти в течение следующих четырех лет (2006-2009) и достигнет уровня 800 млн. шт. условных модулей, эквивалентных 256-Мбит чипам.

Источник: Радиолоцман

Дата публикации: 07.06.2005
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics