Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: IRF6619 и IRF6633 – чипсет для мощных многофазных понижающих DC/DC конвертеров

IRF6619 и IRF6633 – чипсет для мощных многофазных понижающих DC/DC конвертеров



Корпорация International Rectifier анонсировала чипсет для синхронных понижающих конверторов на МОП-транзисторах в корпусах DirectFET™. Новый чипсет ориентирован на применение в высокочастотных сильноточных DC/DC конверторах источников питания процессоров компаний Intel и AMD, предназначенных для high-end десктопов, серверов и продвинутых телекоммуникационных систем и систем передачи данных. Например, 5-фазный конвертор с выходным током 130 А на новых транзисторах IRF6619 и IRF6633 имеет малые размеры и обеспечивает КПД 85%.

Чипсет IRF6619, IRF6633 заменяет четыре МОП-транзистора в стандартных корпусах D-Pak в каждой фазе устройств питания процессоров, сокращая число компонентов наполовину и на 50% снижая занимаемую площадь на печатной плате, что повышает объемную плотность энергии в рабочих станциях и серверах. IRF6619 является идеальным МОП-транзистором для ключа синхронного выпрямления, так как он имеет чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (1.65 мОм при 10 В на затворе и 2.2 мОм при 4.5 В) в сочетании с низким зарядом обратного восстановления 22 нК. Он нормирован на ток 150 А (при 25оС) и напряжение сток-исток 20 В. IRF6619 размещен в корпусе типа MX (средний типоразмер корпуса DirectFET), занимающем на плате ту же площадь, что и стандартный корпус SO-8, но имеющем высоту корпуса всего 0.7 мм.

IRF6633 лучше всего подходит на роль управляющего ключа, так как имеет низкий заряд затвора и заряд Миллера величиной всего 4 нК, что позволяет сократить более чем на 43% время перехода во включенное состояние по сравнению с лучшими 20-вольтовыми транзисторами на рынке. Он нормирован на ток 59 А (при 25оС) и сопротивление открытого канала 5.6 мОм (10В)/9.4 мОм (4.5 В). Комплексный показатель качества IRF6633, учитывающий сопротивление открытого канала и заряд затвора, составляет 38 мОм*нК. IRF6633 размещен в корпусе DirectFET типоразмера MP с профилем 0.7 мм, занимающем такую же площадь, как корпус SO-8.

Запатентованные корпуса DirectFET предоставляют недоступные ранее при применении стандартных пластмассовых корпусов возможности. Конструкция металлической крышки DirectFET обеспечивает эффективный двусторонний отвод тепла с корпуса, удваивающий нагрузочную способность по току высокочастотных понижающих DC/DC конверторов, питающих микропроцессоры новых поколений.

Источник: Платан

Дата публикации: 25.07.2005
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics