Новости электроники


Нашли ошибку? Сообщите нам ... Послать ссылку другу: National Semiconductor представляет два сдвоенных импульсных преобразователя с высоким к.п.д. (свыше 90%) во всем диапазоне нагружения Распечатать: National Semiconductor представляет два сдвоенных импульсных преобразователя с высоким к.п.д. (свыше 90%) во всем диапазоне нагружения

National Semiconductor представляет два сдвоенных импульсных преобразователя с высоким к.п.д. (свыше 90%) во всем диапазоне нагружения


Компания National Semiconductor представляет два новых импульсных преобразователя постоянного напряжения, которые обладают повышенным к.п.д. и продлевают срок службы аккумуляторной батареи. В каждую новую ИС интегрировано два преобразователя: в LM2716 один повышающий, другой понижающий, а в LM2717 два понижающих преобразователя, к.п.д. которых составляет свыше 90% во всем диапазоне нагружения. Данные преобразователи ориентированы на следующие области применения: встраиваемые компьютерные системы, электронные приставки, портативные устройства доступа к Интернет, узлы локализованной к нагрузке стабилизации напряжения, мониторы и телевизоры, в т.ч. на основе TFT ЖК-панелей.

Оба преобразователя прекрасно подходят для приложений, где необходимо несколько сильноточных и низковольтных источников питания системных нагрузок, в т.ч. программируемая логика FPGA, цифровые сигнальные процессоры и цифровые специализированные интегральные схемы. LM2716 и LM2717 также характеризуются расширенной гибкостью за счет организации одного выхода с фиксированным напряжением, а другого с регулируемым; раздельной регулировки параметров плавного старта каждого преобразователя и возможности раздельного включения/отключения.

"Архитектура распределенного питания с регулируемыми выходными напряжениями становится все более популярной для питания цифровых специализированных ИС и ЦСП", - сказал Йон Паек, директор по маркетингу группы портативных устройств питания при National Semiconductor, - "Новые сдвоенные преобразователи обеспечивают исключительную гибкость и высокие технические характеристики для данной архитектуры с локализацией источника питания к нагрузке".

Источник: chipdoc


Дата публикации: 07.09.2005
 Предыдущая     Все за текущий день     Следующая

Другие новости ...



RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor, САПР, CAD, electronics

Разработка: SecondFloor - Разработка фирменного стиля, графический дизайн


  Rating All.BY     Рейтинг@Mail.ru