Компания INTERNATIONAL RECTIFIER представила линейку N-канальных 60, 80 и 100В HEXFET MOSFET транзисторов для импульсных преобразователей, используемых в современных сетевых и коммуникационных системах, которые улучшают параметр проводимости, помноженной на заряд величиной до 36%.

IRF7853PbF, IRF7854PbF и IRF7855PbF разработаны для синхронных выпрямителей вторичного напряжения и изолированных DC/DC преобразователей средней мощности. Совместно с низковольтными MOSFET транзисторами и управляющими микросхемами компании IR, данные MOSFET транзисторы образуют чипсет вторичного напряжения в преобразователях средней мощности.

Кроме того, при использовании совместно с интеллектуальным выпрямителем IR1167 в AC/DC источниках питания, таких как адаптеры для лэптоп компьютеров, новые изделия в корпусе SO-8 могут заменить свои MOSFET аналоги в корпусе TO-220 с соответствующими теплоотводами, увеличивая общую эффективность системы как минимум на 1%.

IRF7853 с напряжением 100В, кроме того, оптимизирован для работы с большим диапазоном входного напряжения (36 … 75В) питающей шины коммуникационного оборудования в мостовой топологии первичной цепи изолированного DC/DC шинного преобразователя. IRF7854 с напряжением 80В, может быть использован в аппаратуре с активным режимом ИЛИ и горячей заменой.

Все три MOSFET транзистора разработаны для синхронного выпрямления вторичного напряжения в обратноходовых преобразователях с выходным напряжением 5-19В и полумостовой резонансной аппаратуре и подходят для использования в изолированных DC/DC преобразователях в качестве ключей первичного напряжения в прямой или двухтактной топологии для изолированных DC/DC преобразователей с напряжением 18-36В.

Источник: terraelectronica

Другие новости ...

• Высоковольтный линейный стабилизатор LR12 от SUPERTEX
• Radiocrafts представляет новое семейство ZigBee™- Ready модулей - RC2300/01/02/04
• ATMEL представляет 802.15.4/ZigBee™ решение