Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Компания Ramtron представила два F-RAM компонента

Компания Ramtron представила два F-RAM компонента



Компания Ramtron представила FM24V05 и FM24V10 - параллельные и последовательные  F-RAM компоненты, которые обеспечивают высокую скорость чтения/записи, пониженное напряжение питания и выполнение дополнительных функций.

Микросхема FM24V05 имеет емкость 512 Кбит, а FM24V10 – 1 Мбит. Это микросхемы последовательной энергонезависимой памяти в 8-ми выводном SOIC корпусе имеют напряжение питания от 2 до 3.6 В и используют двухпроводный (I2C) протокол. Обе микросхемы обеспечивают быструю запись без задержек NoDelay, значительный запас ресурса операций чтения/записи и низкое потребление энергии. Они могут служить прямой заменой для 512 Кбит и 1 Мбит микросхем последовательной Flash и EEPROM памяти в аппаратуре промышленного управления, измерителях, медицинских, военных и игровых приложениях, а так же других областях. FM24V05 прекрасно подходит для использования в энергонезависимых приложениях требующих выполнения частых или быстрых операций записи, таких как сбор данных, где количество допустимых циклов записи может быть определяющим.

Системы технологического управления могут выиграть от быстрой записи в FM24V05 там, где большая длительная записи в EEPROM память может вызвать потерю данных. Все последовательные F-RAM V-Family компоненты могут выполнять дополнительные функции: включая наличие уникального порядкового номера и настраиваемого системного сброса. Кроме упомянутых микросхем, в семейство компонентов V-Family F-RAM компании Ramtron входят ранее анонсированные FM25V05 (512 Kбит) и FM25V10  (1 Mбит) последовательные SPI компоненты и FM28V100 (1 Mбит) параллельное энергонезависимое ОЗУ.

Микросхемы FM24V05 и FM24V10 - это последовательное ферроэлектрическое ОЗУ с произвольным доступом, имеющее организацию массива памяти 64К х 8бит и 128К х 8бит соответственно. Доступ к памяти осуществляется по стандартному двухпроводному (I2C) коммуникационному интерфейсу. В отличие от EEPROM памяти, последовательная F-RAM память не требует ожидания готовности к работе, поэтому чтение и запись проходят на максимальной скорости шины, определяемой последовательным протоколом. Обе микросхемы поддерживают скорость шины до 3.4 МГц, что означает троекратное увеличение тактовой частоты по сравнению с ранее выпущенными I2C последовательными F-RAM микросхемами.

FM24V05 и FM24V10 обеспечивают срок сохранности данных более 10 лет, при исключении трудностей, затрат и проблем с надежностью системы связанных с EEPROM и другими типами энергонезависимой памяти. В микросхемах FM24V05 и FM24V10 имеется доступный только для чтения идентификатор микросхемы; также в них может быть реализован уникальный серийный номер и/или опция системного сброса. Идентификатор микросхемы несет информацию о производителе, емкости микросхемы и ее версии. Микросхемы FM24V05 и FM24V10 экономично работают в промышленном температурном диапазоне -40C … +85C от низковольтного источника питания 2.0-3.6 В потребляя ток в активном состоянии менее 150 мкА (типовая величина при 100 кГц), 90 мкА в режиме ожидания и 5 мкА в режиме останова. В настоящее время доступны образцы микросхем FM24V05 и FM24V10 в 8-ми выводном SOIC корпусе отвечающем требованиям RoHS.


 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 15.05.2009
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics