Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Компания FREESCALE SEMICONDUCTOR представила самый мощный в мире LDMOS ВЧ транзистор высокой мощности

Компания FREESCALE SEMICONDUCTOR представила самый мощный в мире LDMOS ВЧ транзистор высокой мощности



Транзистор MRF6VP11KH обеспечивает получение импульсной ВЧ мощности 1кВт на частоте 130МГц и обеспечивает высочайшую эффективность преобразования энергии и больше коэффициент усиления по мощности, чем у любого другого транзистора в этом классе. Чрезвычайно эффективный транзистор - последний пример приверженности компании FREESCALE к поставке наиболее передовых в отрасли мощных ВЧ изделий для промышленного, научного и медицинского (ISM) рынков. Транзистор работает от напряжения 50В, демонстрируя значительное превосходство над биполярными и полевыми транзисторами, обеспечивая мощность, требуемую в таком оборудовании как системы ядерного магнитного резонанса (MRI), углекислотные лазеры, генераторы плазмы и другие системы. Высокое усиление и беспрецедентный уровень мощности радикально сокращает количество компонентов, до 70% по сравнению с традиционной конструкцией. Такое снижение числа компонентов значительно сокращает необходимую площадь печатной платы и сложность производства, приводя в результате к снижению стоимости усилителя.

"С началом поставок MRF6VP11KH, мы установили новую планку в индустрии по эффективности, выходной мощности, надежности и простоте применения", - говорит Гэвин П Вудс (Gavin P Woods), вице президент и генеральный менеджер отделения ВЧ устройств компании  FREESCALE. "Никакие другие мощные ВЧ изделия, будь то LDMOS, MOSFET или биполярные, не могут достичь подобных успехов. Мы продолжим выводить передовые устройства на этот рынок, давая возможность нашим потребителям взять новые высоты в качестве и параметрах своей аппаратуры".

Разработанный для работы в диапазоне от 10 до 150МГц, транзистор использует технологию шестого поколения боковой диффузии оксида металла в полупроводник (LDMOS) очень высокого напряжения (VHV6), и служит последним примером приверженности компании FREESCALE к поставке наиболее передовых в отрасли мощных ВЧ изделий для промышленного, научного и медицинского (ISM) рынков. Транзистор пополняет передовое семейство 50В VHV6 LDMOS изделий, анонсированных в июне 2006, для ответа на потребности ISM аппаратуры работающей в HF, VHF, и UHF диапазонах частот вплоть до 450МГц.

"Компания FREESCALE перешла уровень импульсной ВЧ мощности 1кВт с помощью 50В LDMOS", - говорит Ланс Вильсон (Lance Wilson), директор по исследованию полупроводников компании ABI RESEARCH. "Высокое усиление, высокая эффективность, низкое тепловое сопротивление и высокая устойчивость к рассогласованию выхода транзистора MRF6VP11KH действительно впечатляет".
Преимущества, получение которых обеспечивается  MRF6VP11KH, распространяются далеко за его статус наиболее мощного коммерчески доступного LDMOS ВЧ транзистора.

MRF6VP11KH обеспечивает эффективность преобразования энергии до 65%, исключительно высокую величину для любого типа мощных ВЧ транзисторов. А в сочетании с усилением более 27дБ, такой уровень эффективности делает возможным значительное упрощение конструкции усилителя, количества каскадов, количества компонентов и размеров печатных плат. Например, для аппаратуры с импульсной выходной мощностью 2кВт и коэффициентом усиления 45дБ обычно требуется 15Вт предусилитель, два 15Вт усилителя и восемь выходных полевых или биполярных транзисторов – всего три каскада и 11 транзисторов. А в конструкции с использованием MRF6VP11KH применяются всего три транзистора.Один 10Вт LDMOS драйвер и два MRF6VP11KH выходных усилителя обеспечивают получение той же самой выходной мощности при более высоком усилении, 50дБ. Кроме 50В напряжения смещения используемого MRF6VP11KH, транзистор имеет повышенное волновое сопротивление при данном уровне мощности, что упрощает задачу его использования  в схемах ВЧ усилителей. Тепловое сопротивление кристалл-корпус, отвечающего требованиям RoHS, корпуса с воздушным охлаждением компании FREESCALE, составляет менее 0,13C/Вт, что обеспечивает эффективный отвод тепла и уменьшает размер теплоотвода. MRF6VP11KH имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD), которая делает ненужными специальные меры предосторожности, обычно используемые в электронной промышленности.

MRF6VP11KH присоединяется к передовому семейству 50В VHV6 LDMOS транзисторов компании FREESCALE, анонсированному в июне 2006 года. Среди других изделий компании, находящихся в производстве для диапазона частот 10-450МГц, имеются MRF6V2010N (10Вт CW, усиление 24дБ, эффективность 62%),  MRF6V2150N (150 Вт CW, усиление 25дБ, эффективность 68%), и MRF6V2300N (300 Вт CW, усиление 25.5дБ, эффективность 68%).

 

Источник: terraelectronica.ru

Дата публикации: 27.06.2007
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics