Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: 1200V SiC диоды Шоттки нового поколения C4D в корпусе TO-247-2 от Wolfspeed

1200V SiC диоды Шоттки нового поколения C4D в корпусе TO-247-2 от Wolfspeed



Компания Wolfspeed (CREE POWER) пополнила семейство 1200 В SiC диодов Шоттки, представив диоды нового поколения C4D в корпусе TO-247-2 на номинальные токи 10 А (C4D10120H), 15 А (C4D15120H) и 20 А (C4D20120H). Данный корпус отличается увеличенным изоляционным расстоянием между анодом и катодом, что позволяет использовать его в условиях загрязненных сред или устройствах уличного исполнения. Длина пути тока утечки по поверхности между выводами составляет величину не меньшую, чем 8 мм, что в 2 и 2,5 раза больше, чем в корпусах TO-247-3 и TO-220-2, соответственно.

В новом поколении карбид-кремниевых диодов Шоттки компании Wolfspeed (CREE POWER) применена технология MPS (Merged PiN Shottky). Благодаря наличию изолированных p+ областей вблизи барьера Шоттки, представляющих собой PiN диоды, удалось снизить токи утечки и повысить стойкость к импульсным перегрузкам по току.

MPS структура диода Шоттки и пути протекания тока

MPS структура диода Шоттки и пути протекания тока

 

Как видно из рисунка ниже, диод без MPS при повышении тока постепенно переходит в насыщение, т.е. при малом приросте прямого тока напряжение на диоде быстро возрастает, что в конечном счете приводит к тепловому пробою. В диоде с MPS структурой при достижении определенного критического значения прямого тока открываются встроенные PiN диоды, забирая на себя большую часть импульсного тока. Таким образом, повышается стойкость новых приборов к импульсным перегрузкам по току.

 

Особенности 1200 В SiC диодов Шоттки поколения C4D в корпусах TO-247-2

  • Увеличенное изоляционное расстояние между выводами;
  • Применение в условиях загрязненных сред или устройствах уличного исполнения;
  • Высокая частота коммутации;
  • Положительный температурный коэффициент Vf;
  • Низкие токи утечки и высокая стойкость к импульсным перегрузкам по току.

 

ВАХ диода с структурой MPS и без нее при воздействии импульсных токов

ВАХ диода с структурой MPS и без нее при воздействии импульсных токов

 

Целевые применения

  • Промышленные импульсные источники питания (PFC, AC/DC, DC/DC);
  • Зарядные станции для электротранспорта и бортовые зарядные устройства;
  • Инверторы для солнечной энергетики.

 

Источник: www.compel.ru

Дата публикации: 15.08.2018
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics