Новости электроники
Нашли ошибку? Сообщите нам ...Распечатать: Технология DOL корпусирования повышает тепловые и электрические характеристики силовых полупроводниковых приборов для энергоемких приложений в автоэлектронике

Технология DOL корпусирования повышает тепловые и электрические характеристики силовых полупроводниковых приборов для энергоемких приложений в автоэлектронике



Корпорация International Rectifier (IR) объявила о внедрение в серийное производство инновационной технологии корпусирования силовых полупроводниковых приборов, призванной разрешить технические проблемы возникающие при создании нового поколения электромеханических и электрогидравлических усилителей руля и дргуих энергоемких приложений в автоэлектронике, где применяются силовые электроагрегаты.

Разработанная International Rectifier технология, получившая название DOL (die-on-leadframe) устанавливает новые стандарты тепловых и электрических характеристик при повышении массогабаритных характеристик устройств, что облегчает переход от традиционных электромеханических и гидравлических агрегатов к применению устройств высокоэффективных управляемых электромеханических устройств нового поколения.

Например электромеханические усилители руля потенциально позволяют реализовать все фукции управления для полноприводных автомобилей, включая реализацию ситстемы VSC (управление стабильностью движения). Однако ограничения по электрической эффективности, располагаемому току и пульсациям момента препяствует продвижению этогог прогрессивного устроймства во внедорожники срекднего и тяжелого класса. Запатентованная IR технология DOL корпусирования силовых инвернторов обеспечивает минимальное сопротивление и индуктивность корпуса при минимизации числа слоев материалов и внутренних соединений, что повышает тепловые характеристики. Меньшее тепловое сопротивление позволяет применять транзисторы с меньшим размером кристаллов. Гораздо более низкое электрическое сопротивление инвертора обеспечивает высокую нагрузочную способность по току при низком уровне пульсаций момента и более низкой цене комплекта полупроводниковых приборов.

Для приложений со средним и высоким уровнем выходной мощности DOL технология обеспечивает более высокую электрическую проводимость и более высокие тепловые характеристики, чем альтернативные технологии IMS (Insulated Metal Substrate), использующей высоковольтную изоляцию проводников печатной платы от теплопроводящего основания, и DBC (direct-bonded copper), использующей размещение проводников на керамике, толстых пленках или печатных платах. В силовых модулях DOL кристаллы полупроводниковых приборов припаяны непосредствено к медным силовым фреймам выводов без промежуточных проводящих или изолирующих слоев.

Первыми приборами изготовленными по технологии DOL стали силовые модули IR11867-E02 и IR11867-E01. Оба модуля имеют компактный пластмассовый корпус с габаритами 60х36х8мм с высокой электрической проводимостью и низкой индуктивностью, что позволяет реализовать высокую нагрузочную способность и частоту ШИМ. Модули имеют встроенную обратную связь по температуре и току. Прибор IR11867-E01 нормирован на ток 160А при максимальной температуре кристаллов и напряжение 40В. Максимальное тепловое сопротивление составляет 0,4°С/Вт, электрическое сопротивление 3,8мОм (сопротивление корпуса 1,95мОм), индуктивность корпуса 25нГн. В модуле применены кристаллы IRFC2804 с сопротивлением канала 0,85мОм. Модуль IR11867-E02 нормирован на ток 120А, имеет тепловое сопротивление 0,6°С/Вт, активное 5,6мОм и индуктивность корпуса 30нГн. В нем используются кристаллы транзистора IRFC1404Z с сопротивлением канала 1,65мОм.

Источник: РадиоЛоцман

Дата публикации: 03.01.2005
 Предыдущая   Все за текущий день   Следующая
Другие новости ...
Архив


RadioRadar.net - datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics