Полностью полупроводниковый лазер с незатухающей волной решает ранее непреодолимую проблему двухфотонного поглощения

Микроэлектроника уже сталкивается с физическими ограничениями (на уровне атомов) при передаче электрических сигналов между микросхемами. Возможным решением этой проблемы может явиться развитие нетрадиционных технологий, в частности- кремниевой фотоники.

Intel уже создала множество структур, необходимых для организации передачи сигналов между микросхемами с помощью света так же просто, как сейчас это делают электроны. Основной проблемой для этого было отсутствие подходящего источника света. Недавно Intel анонсировала новый прорыв в этой области- первый полностью полупроводниковый лазер с незатухающей волной, использующий физическое явление, называемое эффектом Рамана (в квантовой механике эффект Рамана описывается как обмен энергией между молекулами рассеивающего вещества и падающим светом), и построенный с использованием стандартных серийных CMOS-кристаллов.

Этот прорыв в кремниевой фотонике приведет к созданию практических и доступных решений для коммуникаций и вычислений, к созданию нового медицинского оборудования и датчиков, а настраиваемый полупроводниковый лазер сможет заменить своих предшественников, стоящих сотни и тысячи долларов. Это достижение также может привести к ускорению создания новых оптических межкомпонентных соединений между микросхемами и внешними устройствами, т.к. тонкие оптические волокна занимают меньше места, чем электрические кабели, и будут обеспечивать лучшие условия охлаждения компьютеров и серверов.

Используя возможности полупроводников, исследователи Intel смогли реализовать функции традиционного, громоздкого комбинационного лазера, использующего стекло и обычно имеющего размеры чемодана, сократив его размеры до толщины одной дорожки на кремниевой пластине.

Этот прорыв в кремниевой фотонике приведет к созданию практических и доступных решений для коммуникаций и вычислений, к созданию нового медицинского оборудования и датчиков, а настраиваемый полупроводниковый лазер сможет заменить своих предшественников, стоящих сотни и тысячи долларов. Это достижение также может привести к ускорению создания новых оптических межкомпонентных соединений между микросхемами и внешними устройствами, т.к. тонкие оптические волокна занимают меньше места, чем электрические кабели, и будут обеспечивать лучшие условия охлаждения компьютеров и серверов.

Демонстрационная пластина с полупроводниковыми лазерами была изготовлена с использованием стандартной CMOS-технологии на существующей производственной линии. Это значит, что для этих новых технологий путь от лаборатории до производства может быть не длинным и сложным, как в случае некоторых нетрадиционных технологий, а весьма прямым и быстрым.

Источник: Радиолоцман

Другие новости ...

• Новый промышленный PXI мультиметр с точностью 7Ѕ знаков
• International Rectifier анонсирует радиационностойкие твердотельные реле для ответственных применений
• Теперь инженеры могут интерактивно проектировать и создавать цифровые фильтры с помощью NI LabVIEW
• Мировые продажи полупроводников в 1-м квартале 2005 г