на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Радиоэлектроника - новости, новинки, обзоры

Новости электроники

Архив : 25 Июль 2005 год


13:56IRF6619 и IRF6633 – чипсет для мощных многофазных понижающих DC/DC конвертеров

Корпорация International Rectifier анонсировала чипсет для синхронных понижающих конверторов на МОП-транзисторах в корпусах DirectFET™. Новый чипсет ориентирован на применение в высокочастотных сильноточных DC/DC конверторах источников питания процессоров компаний Intel и AMD, предназначенных для high-end десктопов, серверов и продвинутых телекоммуникационных систем и систем передачи данных. Например, 5-фазный конвертор с выходным током 130 А на новых транзисторах IRF6619 и IRF6633 имеет малые размеры и обеспечивает КПД 85%.

Чипсет IRF6619, IRF6633 заменяет четыре МОП-транзистора в стандартных корпусах D-Pak в каждой фазе устройств питания процессоров, сокращая число компонентов наполовину и на 50% снижая занимаемую площадь на печатной плате, что повышает объемную плотность энергии в рабочих станциях и серверах. IRF6619 является идеальным МОП-транзистором для ключа синхронного выпрямления, так как он имеет чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (1.65 мОм при 10 В на затворе и 2.2 мОм при 4.5 В) в сочетании с низким зарядом обратного восстановления 22 нК. Он нормирован на ток 150 А (при 25оС) и напряжение сток-исток 20 В. IRF6619 размещен в корпусе типа MX (средний типоразмер корпуса DirectFET), занимающем на плате ту же площадь, что и стандартный корпус SO-8, но имеющем высоту корпуса всего 0.7 мм.

IRF6633 лучше всего подходит на роль управляющего ключа, так как имеет низкий заряд затвора и заряд Миллера величиной всего 4 нК, что позволяет сократить более чем на 43% время перехода во включенное состояние по сравнению с лучшими 20-вольтовыми транзисторами на рынке. Он нормирован на ток 59 А (при 25оС) и сопротивление открытого канала 5.6 мОм (10В)/9.4 мОм (4.5 В). Комплексный показатель качества IRF6633, учитывающий сопротивление открытого канала и заряд затвора, составляет 38 мОм*нК. IRF6633 размещен в корпусе DirectFET типоразмера MP с профилем 0.7 мм, занимающем такую же площадь, как корпус SO-8.

Запатентованные корпуса DirectFET предоставляют недоступные ранее при применении стандартных пластмассовых корпусов возможности. Конструкция металлической крышки DirectFET обеспечивает эффективный двусторонний отвод тепла с корпуса, удваивающий нагрузочную способность по току высокочастотных понижающих DC/DC конверторов, питающих микропроцессоры новых поколений.

Источник:Платан

13:54iP2003 – 40А миниблок для многофазных DC/DC

Корпорация International Rectifier анонсировала новый прибор iP2003A семейства iPOWIR™ – полностью оптимизированный iP2003A миниблок для многофазных сильноточных понижающих синхронных конверторов с диапазоном входных напряжений от 3 до 13.2 В. Новый прибор ориентирован на работу с силовыми шинами низкого напряжения в серверах, десктопах и коммуникационных системах передачи данных. Как член семейства iPOWIR, новый iP2003A интегрирует полупроводниковые и пассивные компоненты в одном компактном плоском корпусе типа LGA (land grid array). В число этих полупроводниковых приборов входят драйвер синхронного выпрямителя, МОП-транзисторы верхнего и нижнего уровней и диод Шоттки, примененный в синхронном выпрямителе для снижения потерь во время паузы. Новый прибор способен работать на частотах 300 кГц-1 МГц при продолжительной токовой нагрузке до 40 А, которая не снижается при температуре корпуса вплоть до 100°C. Диапазон выходных напряжений составляет от 0.8 до 3.3 В.

Высокая рабочая частота и токовая нагрузка является серьезным преимуществом iP2003A по отношению к техническим решениям на дискретных компонентах, поскольку это дает возможность улучшить динамические характеристики, снизить площадь печатной платы, уменьшить габариты выходных фильтров и снизить цену реализации.

При применении совместно со стандартным многофазным ШИМ контроллером iP2003A позволяет достичь в четырехфазном конверторе выходного тока 160 А при снижении площади печатной платы на 55% по сравнению с эквивалентным решением на МОП-транзисторах в корпусах SO-8 с улучшенными тепловыми характеристиками. Кроме того, поскольку iP2003A интегрирует в себе все критичные для фазы конвертора силовые полупроводниковые и пассивные компоненты, значительно снижается сложность и время разработки топологии печатной платы по сравнению с вариантом на дискретных приборах. Единственными внешними компонентами, которые необходимо добавить для реализации многофазного конвертора являются ШИМ-контроллер, входные и выходные конденсаторы и выходные дроссели.

В iP2003A применена запатентованная технология корпусирования, делающая возможным двустороннее охлаждение корпуса, вследствие низкого теплового сопротивления между кристаллом и корпусом и между кристаллом и печатной платой, что обеспечивает максимально возможную нагрузочную способность по току. Габаритные размеры корпуса 9 х 11 х 2.2 мм.

Источник:Платан

10:33IBM будет выпускать КМОП-фотоприемники для камер

Корпорация IBM объявила о начале предоставления технологий и услуг по производству матричных фотоприемников КМОП-типа (КМОП - технология комплиментарных структур металл-оксид-полупроводник) для фотокамер мобильных телефонов, цифровых фотоаппаратов и другой потребительской продукции. Новое предложение объединяет полупроводниковый технологический процесс IBM с медными проводниками и интеллектуальную собственность в области матричных фотоприемников, лицензированную у компании Eastman Kodak, и позволяет производить КМОП-матрицы с качеством изображения на уровне лучших отраслевых показателей в объемах, необходимых для массового потребительского рынка. IBM объявила о сотрудничестве с Kodak в области разработки КМОП-матриц фотоприемников в сентябре 2004 года. В рамках этого сотрудничества IBM приобрела лицензию на разработки Kodak в области производства КМОП-матриц. На этой неделе Kodak объявила о выпуске на основе этого процесса новых трех- и пятимегапиксельных КМОП матричных фотоприемников, аттестованных и изготовленных для Kodak на полупроводниковом производстве IBM в Берлингтоне, штат Вермонт.

Производственное предложение IBM основано на 0,18-микронном технологическом КМОП-процессе IBM с медными проводниками, развернутом на заводе в Берлингтоне. В предложение входит интегрированный комплект разработчика, включая 4-транзисторный 3-микронный пиксел с фотодиодом, и доступ к библиотеке схем датчиков изображений IBM.

Изготовленные с помощью КМОП-технологии IBM матричные фотоприемники имеют один из лучших в отрасли показателей темнового тока, который определяет способность матрицы регистрировать изображение при низкой освещенности и имеет решающее значение для применения в потребительской продукции, такой как фотокамеры мобильных телефонов.

Качество изображения также улучшается благодаря способности IBM изготавливать матрицы со сверхтонким 2,5-микронным пакетом проводников, включающим встроенный цветовой фильтр и микролинзы. При использовании медных проводников пакет проводящих слоев оказывается приблизительно на 30 процентов тоньше, чем в традиционной алюминиевой технологии, что позволяет существенно улучшить световую (квантовую) эффективность фотоприемника и поднять качество изображения при низкой освещенности. Кроме того, фотоприемники IBM обладают отличными угловыми характеристиками чувствительности, что важно при использовании объективов с большой апертурой и гарантирует великолепное разрешение и четкость изображения.

В настоящее время IBM является единственным производителем, выпускающим фотоприемные матрицы на основе 0.18-микронного технологического процесса с медными проводниками. IBM первой из производителей полупроводниковых компонентов внедрила медную технологию, и сегодня клиенты полупроводниковых производств IBM могут пользоваться всеми преимуществами проверенной технологии производства компонентов с медными проводниками. Кроме того, IBM предлагает доступ к признанным в отрасли комплектам разработки и обширной схемной библиотеке.

Основной рост на рынке фотоприемных матриц смещается от сегмента устройств с зарядовой связью (ПЗС) к сегменту КМОП-устройств. В прошлом технология ПЗС доминировала в цифровых фотоустройствах благодаря более высокому качеству изображения, однако преимущества КМОП-технологии, такие как низкое энергопотребление, высокая степень интеграции и низкая по сравнению с ПЗС-технологией стоимость производства, играют в ее пользу на рынке потребительской электроники. Планы развития заводских технологий IBM предусматривают выпуск КМОП-матриц, приближающихся по размерам пикселов и характеристикам к существующим в настоящее время ПЗС-устройствам.

Источник:Радиолоцман

10:25MPXV7025DP, MPXV7007DP - датчики давления для применения в широком спектре схемных решений. В основном используются при стыковке с микроконтроллерами или микропроцессорами со встроенными АЦП.

Отличительные особенности:

-5% разброс значений в диапазоне температур 0°…+85° С;
-идеально подходит для систем, базирующихся на микроконтроллерах и микропроцессорах;
-термопластический корпус с возможностью "посадки" на плату;
-компенсация тепловых воздействий в диапазоне температур -40°…+125° С;
-применим для дифференциальных и измерительных схем;
-идеально подходит для применения в автомобильных схемах.

Структурная схема датчиков MPXV7007 и MPXV7025.

Источник:terraelectronica

Изготовление печатных плат