Новости электроники
Архив : 30 Апрель 2007 год
09:24Трансформаторные модули на один Ethernet-порт 10/100BASE-T от PULSE ENGINEERING
Н1102NL, H1183NL, HX1188NL и H1012NL - компактные трансформаторные модули, предназначенные для согласования и развязки линий одного порта в Ethernet-сетях 10/100BASE-T. Установленный коэффициент трансформации равен 1:1 с точностью ±2%. Модули соответствуют всем требованиям стандартов IEEE 802.3 и ANSIX3.263.
Электрическая прочность изоляции корпусов достигает 1500В. Индуктивность открытой цепи составляет 350мкГн при токе смещения 8мА (H1102). Модули выпускаются в SMD корпусах, совместимых с SOIC-16 по посадочным местам, для температурного диапазона 0°С…+70°С (H1102NL, H1183NL, H1012NL) и -40°С…+85°С (HX1188NL).
Источник: terraelectronica.ru
09:19Транзисторный чипсет от IR с повышенным КПД
Компания International Rectifier теперь имеет новый чипсет из DirectFET MOSFET для питания сильноточных DC/DC преобразователей, используемых в перспективных системах телекоммуникации и передачи данных, ноутбуках, продвинутых РС и серверах.
Управляющие (IRF6712S) и синхронные (IRF6716M) транзисторы были разработаны с использованием последних кремниевых процессов HEXFET MOSFET и технологии монтажа DirectFET. Они имеют чрезвычайно низкие значения индуктивности корпуса, сопротивления во включенном состоянии, заряда затвора и промежутка затвор-сток, что обеспечивает высокий КПД и великолепные тепловые характеристики.
Все это позволяет достичь величины тока до 25A на фазу при небольших размерах плоского корпуса. Величина сопротивления IRF6716M во включенном состоянии (1,2мОм при напряжении затвор-сток 10В и 2,0 мОм при 4,5В) является самой низкой для транзисторов на 25В, что делает прибор крайне привлекательным для синхронных выпрямителей сильноточных ВЧ преобразователей.
IRF6716M имеет такой же низкий (0,7мм) профиль и расположение выводов, как у предыдущего поколения приборов, что позволяет легко переходить к ним от существующих низковольтных DirectFET MOSFET.
IRF6712S был оптимизирован для сильноточных применений, где желателен вариант с единственным управляющим транзистором. Он имеет низкие значения зарядов затвора и промежутка затвор-сток (13 и 4,4нК, соответственно,) в сочетании с малым последовательным сопротивлением (3,8мОм при 10В и 6,7мОм при 4,5В).
Для облегчения работы с ним IRF6712S также имеет такую же толщину и расположение выводов, как у предыдущего поколения приборов.
Управляющие (IRF6712S) и синхронные (IRF6716M) транзисторы были разработаны с использованием последних кремниевых процессов HEXFET MOSFET и технологии монтажа DirectFET. Они имеют чрезвычайно низкие значения индуктивности корпуса, сопротивления во включенном состоянии, заряда затвора и промежутка затвор-сток, что обеспечивает высокий КПД и великолепные тепловые характеристики.
Все это позволяет достичь величины тока до 25A на фазу при небольших размерах плоского корпуса. Величина сопротивления IRF6716M во включенном состоянии (1,2мОм при напряжении затвор-сток 10В и 2,0 мОм при 4,5В) является самой низкой для транзисторов на 25В, что делает прибор крайне привлекательным для синхронных выпрямителей сильноточных ВЧ преобразователей.
IRF6716M имеет такой же низкий (0,7мм) профиль и расположение выводов, как у предыдущего поколения приборов, что позволяет легко переходить к ним от существующих низковольтных DirectFET MOSFET.
IRF6712S был оптимизирован для сильноточных применений, где желателен вариант с единственным управляющим транзистором. Он имеет низкие значения зарядов затвора и промежутка затвор-сток (13 и 4,4нК, соответственно,) в сочетании с малым последовательным сопротивлением (3,8мОм при 10В и 6,7мОм при 4,5В).
Для облегчения работы с ним IRF6712S также имеет такую же толщину и расположение выводов, как у предыдущего поколения приборов.
Источник: terraelectronica.ru