на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Радиоэлектроника - новости, новинки, обзоры

Новости электроники

Архив : 30 Июнь 2008 год


07:51Более компактные MOSFET-транзисторы IR улучшают экономичность
Компания International Rectifier выпустила новое семейство 30В DirectFET MOSFET-транзисторов, оптимизированных для создания блоков синхронных понижающих преобразователей, используемых в ноутбуках, источниках питания серверных CPU и системах управления напряжением в подсистемах памяти и графических картах.

Новые устройства объединяют последнее поколение 30В-кристаллов HEXFET мощных MOSFET-транзисторов и улучшенную технологию корпусирования DirectFET, для уменьшения на 40% занимаемой элементом площади, по сравнению со стандартными устройствами в корпусе SO-8 и получения его очень плоского 0,7мм профиля. Новое поколение 30В-транзисторов имеет очень малую величину сопротивления открытого состояния, при минимальной величине заряда затвора и заряда затвор-сток, что совместно с очень низкой индуктивностью корпуса, обеспечивает уменьшения потерь и на переключение, и на проводимость.

Используя преимущества превосходных кристаллов мощных MOSFET-транзисторов и корпусов DirectFET, новые 30В-транзисторы отличаются очень низким сопротивлением открытого состояния, малым зарядом затвора и затвор-сток, для получения повышенной эффективности и температурных характеристик при работе с полной нагрузкой. Это так же позволяет работать с током фазы до 25А, обеспечивая тем самым компактный размер узла из одного управляющего и одного синхронного MOSFET-транзистора.
IRF6724M, IRF6725M, IRF6726M и IRF6727M отличаются очень низким сопротивлением открытого состояния, что делает их использование привлекательным в качестве синхронных MOSFET-транзисторов работающих с большим током.

Эти новые изделия имеют одинаковое MT и MX-расположение выводов с изделиями предыдущего поколения, обеспечивая простой переход на их использование в приложениях, где требуется увеличить величину тока или улучшить температурный режим. Очень низкая величина заряда затвора и затвор-сток предлагаемая IRF6721S, IRF6722S и IRF6722M, делает привлекательным их использование в качестве управляющих MOSFET-транзисторов. Они выпускаются в SQ, ST и MP-корпусах для получения большей гибкости их использовании.

 

Источник: terraelectronica.ru

07:33Беспрецедентная яркость белых светодиодов серии XREWHT-L1 от Cree
XREWHT-L1 – серия белых сверхярких светодиодов компании Cree разработана по карбид-кремниевой технологии и   обеспечивает световой поток до 120лм. При этом они обладают высокими эксплуатационными свойствами и обеспечивают работу в течении не менее 50000часов. Светодиоды отлично подходят для замены традиционных источников света, обеспечивая необходимую яркость при существенно меньшем энергопотреблении.

 

Отличительные особенности:

  • световой поток: до 120лм;
  • цветовая температура: 2 600...10 000К;
  • максимальный ток: до 1000мА;
  • низкое тепловое сопротивление: 8°С/Вт;
  • время работы: 50 000ч.

Внешний вид и размеры серии XREWHT-L1 здесь.

Области применения: уличное освещение, внутреннее освещение, промышленное освещение, автомобильное освещение. 

Источник: terraelectronica.ru

Изготовление печатных плат