Новости электроники
Архив : 5 Июнь 2009 год
Компания International Rectifier (IR) начала выпуск серии 25В и 30В N-канальных trench Hexfet мощных Mosfet транзисторов, имеющих улучшенные параметры коммутации для синхронных понижающих преобразователей и схем защиты батарей.
Это семейство Mosfet транзисторов использует технологию полупроводников компании IR для улучшения величины сопротивления во включенном состоянии [RDS(on)] и параметров коммутации. Низкие потери на проводимость транзисторов улучшают работу на максимальной нагрузке и снижают выделение тепла, а снижение потерь на переключение помогает сохранить высокую эффективность даже при работе на небольшую нагрузку.
Для обеспечения улучшения плотности мощности по сравнению с корпусом SO-8, Mosfet транзисторы выпускаются в мощном QFN корпусе при сохранении прежнего расположения выводов. В зависимости от приложения, сдвоенные Mosfet транзисторы в корпусе SO-8 обеспечивают двукратное уменьшение количества необходимых компонентов.
Имеются сдвоенные и одинарные Mosfet транзисторы. Одинарные транзисторы выпускаются в PQFN 5 x 6мм и 3 x 3мм корпусах, оптимизированных для использования в массовом производстве, а так же корпусах D-Pak, I-Pak и SO-8, а сдвоенные транзисторы выпускаются в корпусе SO-8. Транзисторы отвечают требованиям RoHS и могут поставляться в исполнении не содержащем галогенов.
Источник: terraelectronica.ru
Основные характеристики:
- входное напряжение: 2,7…5,5 В;
- число каналов тока: 3;
- выходной ток: до 90 мА;
- рабочий диапазон температур: -40°C…+85°C;
- корпус: LLGA12;
- не содержит свинца.
Области применения: световой дизайн, многоцветная подсветка, светодиодные фотовспышки, подсветка LCD, подсветка клавиатуры.
Источник: terraelectronica.ru