на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Радиоэлектроника - новости, новинки, обзоры

Новости электроники

Архив : 10 Октябрь 2020 год


23:58Многоканальные 24 бит сигма-дельта АЦП MCP356xR со встроенной опорой и SPI интерфейсом

Компания ЭЛТЕХ предлагает новые 24-разрядные сигма-дельта аналогово-цифровые преобразователи со встроенной опорой MCP3561R/MCP3562R/MCP3564R от Microchip. Это малошумящие АЦП с 2/4/8-ю однополярными, либо 1/2/4-мя дифференциальными входами и максимальной частотой дискретизации 153 600 выборок в секунду.
АЦП семейства MCP356xR имеют конфигурируемый коэффициент передискретизации (от 32 до 98304), коэффициент усиления сигнала (от 0,33x до 64x) и встроенный секвенсер для последовательного сканирования каналов АЦП. АЦП MCP356xR имеют интерфейс SPI (до 20 МГц) и обеспечивают надежную установку и сохранение настроек, с проверкой контрольной суммы (CRC-16) и блокировкой конфигурационных регистров.
Благодаря встроенной опоре, расширенному диапазону рабочих температур и исполнению в малогабаритны 20-ти выводных корпусах UQFN, семейство MCP356xR позволяет сократить количество элементов на плате и увеличить надёжность, при этом уменьшив габариты и себестоимость устройства. Это делает семейство MCP356xR простым и удобным решением для промышленной электроники, портативных измерительных устройств, блоков измерения температуры, датчиков давления, потока и усилия.

MCP356R

 

Основные особенности АЦП семейства MCP356xR:

  • Разрядность - 24 бита;
  • 2/4/8 однополярных или 1/2/4 дифференциальных входа;
  • Частота дискретизации до 153,6 КГц;
  • Программируемый коэффициент усиления от 0.33X до 64X ;
  • Встроенный датчик температуры;
  • Малый шум: 90 нВRMS;
  • Малая величина температурного смещения: 0,25 нВ/0С;
  • Встроенная проверка контрольных сумм CRC-16;
  • Интерфейс SPI;
  • Рабочая температура: -40... +125 0С;
  • Корпус UQFN-20 3x3

Источник: www.eltech.spb.ru

23:47LTC6373 – полностью дифференциальный инструментальный усилитель от Analog Devices с программируемым усилением и низким входным током смещения

LTC6373 - это прецизионный инструментальный усилитель с полностью дифференциальными выходами, который включает в себя тщательно согласованную внутреннюю схему резисторов для достижения превосходного показателя CMRR, напряжения смещения, ошибки усиления, дрейфа усиления и нелинейности усиления. Разработчик может легко запрограммировать усиление на одну из семи доступных настроек через 3-битный параллельный интерфейс (от A2 до A0). Восьмое состояние отключает микросхему, что снижает потребление тока до 220 мкА. В отличие от обычного усилителя с обратной связью по напряжению, LTC6373 поддерживает практически неизменную полосу пропускания при всех настройках усиления.

LTC6373 имеет полностью дифференциальные выходы для управления высокопроизводительными АЦП с дифференциальным входом. Выходное синфазное напряжение регулируется независимо через вывод VOCM. Комбинация входов с высоким импедансом, точности по постоянному току, низких шумов, малого уровня искажений и высокоскоростного дифференциального драйвера АЦП делает LTC6373 идеальным решением для оптимизации систем сбора данных.

LTC6373

 

Микросхема выпускается в 12-выводном корпусе DFN (LFCSP) 4 × 4 мм и полностью рассчитана на рабочий температурный диапазон -40 ... + 125 ° C.

LTC6373

 

Основные характеристики:

  • Программируемые коэффициенты усиления: 0.25, 0.5, 1, 2, 4, 8, 16 В/В + "спящий режим";
  • Полностью дифференциальные выходы;
  • Максимальная ошибка усиления: 0,012% ;
  • Максимальная ошибка дрейфа усиления: 1 ppm/°C ;
  • Минимальный коэффициент подавления синфазных сигналов: 103 дБ при коэффициенте усиления 16;
  • Максимальный входной ток смещения: 25 пА;
  • Максимальное входное напряжение смещения: 92 мкВ при коэффициенте усиления 16;
  • Максимальный дрейф входного напряжения смещения: 1.7 мкВ/°C при коэффициенте усиления 16;
  • Полоса пропускания по уровню –3 дБ: 4 МГц при коэффициенте усиления 16;
  • Плотность входного напряжения шумов: 8 нВ/√Гц при коэффициенте усиления 16;
  • Скорость нарастания: 12 В/мкс при коэффициенте усиления 16 ;
  • Регулируемое выходное синфазное напряжение;
  • Ток потребления: 4,4 мА ;
  • Диапазон напряжений питания: ±4,5 ... ±18 В;
  • Диапазон рабочих температур: –40 ... +125 °C;
  • Миниатюрный 12-выводной корпус DFN (LFCSP) размером 4 × 4 мм;

 

Области применения:

  • Системы сбора данных;
  • Биомедицинское оборудование;
  • Контрольно-измерительное оборудование;
  • Дифференциальные драйверы АЦП;
  • Преобразование несимметричных сигналов в дифференциальные;
  • Устройства мультиплексирования сигналов

Источник: www.eltech.spb.ru

23:24Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид-кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является начало производства SiC полевых транзисторов напряжением 650 В.

Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности.

Новые SiC полевые транзисторы в сравнении с кремниевыми технологиями (IGBT/MOSFET) позволяют достичь на 75% меньше потерь на переключение и на 50% меньше потерь на проводимость, что в конечном счёте даёт потенциал увеличения плотности мощности на 300%. Это особенно актуально для электротранспорта и серверного оборудования, где разработчики смогут превзойти показатели самого амбициозного из стандартов энергоэффективности – 80+ Titanium.

Технические особенности:

  • Малая зависимость сопротивления канала Rds(on) от температуры;
  • Малые значения паразитных ёмкостей;
  • Быстрый обратный встроенный диод с малым зарядом восстановления;
  • Высокая рабочая температура - до 175 *С;
  • Наличие корпусов с соединением истока по схеме Кельвина;
  • Компоненты в стандартных выводных и SMD-корпусах.

 

Целевые применения:

  • Зарядные устройства;
  • Преобразователи для транспорта;
  • Инверторы для солнечной энергетики;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Промышленные источники электропитания.

Источник: www.compel.ru

Изготовление печатных плат