на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Радиоэлектроника - новости, новинки, обзоры

Новости электроники

Архив : 9 Февраль 2021 год


22:02HRP/N – семейство ИП от MEAN WELL с повышенной перегрузочной способностью

Компания MEAN WELL разработала семейство источников питания с возможностью кратковременной безопасной работы при мощности в 2,5 раза выше номинальной (до 5 секунд).

Новое семейство состоит из трех серий: HRP-150N, HRP-300N и HRP-600N с номинальной мощностью 150, 300 и 600 Вт, соответственно. Кроме того, источники питания обладают отличной функциональной насыщенностью: имеют каскад коррекции мощности (ККМ; PFC>0,95), возможность компенсации падения напряжения на проводах, возможность дистанционного включения-выключения, устойчивы к повышенному до 300 В входному напряжению (до 5 секунд) и имеют сигнал "DC Ok" для контроля выходного напряжения. При всем этом данные источники питания работоспособны в температурном диапазоне -40…70ºС и обладают эффективностью на уровне 89%.

Данное семейство источников питания востребовано в промышленных установках с использованием электродвигателей или с емкостной нагрузкой. В момент пуска указанная нагрузка потребляет повышенную мощность, поэтому для обеспечения нормального запуска приходится выбирать более мощный источник питания. В дальнейшей работе после запуска мощность этого источника уже не используется и является избыточной. Поэтому, применяя новые источники питания HRP/N, можно избавиться от избыточности и получить экономический выигрыш. Гарантийный срок на рассматриваемые источники питания составляет 5 лет.

Источник: www.compel.ru

21:42SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM) – это широкий выбор транзисторов по сопротивлению открытого канала (Rds(on)), а также наименьшее среди аналогов сопротивление канала в дискретном выводном корпусе
Новые транзисторы будут выпускаться в стандартных для отрасли выводных корпусах (TO-247-3 и TO-247-4), а C3M0120065J – также в SMD-корпусе TO-263-7.

Технические особенности:

  • Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM);
  • Превосходные параметры устройства на системном уровне;
  • Работа на высоких частотах (свыше 200 кГц);
  • Надёжный антипараллельный диод с малым временем обратного восстановления;
  • Малые значения паразитных емкостей;
  • Стандартные для отрасли корпуса (TO-247-3, TO-247-4, TO-263-7);

 

Целевые применения:

  • Серверные источники питания;
  • Зарядные устройства;
  • Системы бесперебойного питания;
  • Инверторы для солнечной энергетики;

Источник: www.compel.ru

Изготовление печатных плат