Архив : 24 Март 2022 год

Новые силовые транзисторы StrongIRFET™2 на напряжение 80 и 100 В представляют собой новейшее поколение MOSFET производства Infineon. Они предназначены для широкого спектра применений и могут работать как на низких, так и на высоких частотах коммутации. Это новое семейство дополняет хорошо зарекомендовавшие себя MOSFET StrongIRFET™, предлагая более высокую производительность.

Данные изделия по сравнению с предыдущими устройствами StrongIRFET™ обеспечивают уменьшение на 40% сопротивления "сток-исток" открытого канала RDS(on), в результате чего рост пропускной способности и увеличенное номинальное значение тока позволяют уменьшить количество транзисторов, включаемых параллельно. Кроме того, у транзисторов StrongIRFET™2 относительно StrongIRFET™ снижена более чем на 50% величина заряда цепи затвора Qg. Поэтому, в силу уменьшения времени отпирания и запирания, транзисторы могут использоваться на более высоких частотах коммутации, а требования к выходным характеристикам драйверов затвора могут быть снижены. Названные преимущества позволяют снизить удельную мощность и, соответственно, улучшить массогабаритные показатели разрабатываемых устройств без снижения КПД, что приводит к повышению энергоэффективности и улучшению общей производительности системы.

Особенности

• Отличное соотношение цены и качества
• Идеально подходит как для высоких, так и для низких частот коммутации
• Высокий номинальный ток

Конкурентные преимущества

• Оптимальный вариант для широкого спектра применений
• Отличное соотношение цены и качества

Достоинства

• Правильный подбор продукции
• Поддержка широкого спектра применений
• Высокая приспособленность к эксплуатации в неблагоприятных условиях

Целевое назначение

• Источники питания
• Телекоммуникации
• Электропривод
• Управление аккумуляторными батареями
• Легковые электромобили и электронные самокаты
• Робототехника
• Электроинструмент и садовая техника

Функциональная схема

Источник: www.compel.ru