Архив : 16 Июнь 2026 год

Представлен новый 650-вольтовый GaN (нитрид галлия) силовой ключ, обеспечивающий высокую эффективность и производительность в промышленных системах питания. Устройство сочетает низкие потери, высокую скорость переключения и надёжность, необходимую для жёстких условий эксплуатации.

Основные характеристики

• Номинальное напряжение 650 В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on))
• Высокая частота переключения
• Отличные тепловые характеристики
• Повышенная надёжность для промышленного применения
• Компактный корпус для высокой плотности мощности

По сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET, GaN-ключ обеспечивает существенно меньшие потери переключения и более высокую эффективность. Это позволяет уменьшать размеры радиаторов, повышать частоту преобразования и создавать более компактные и эффективные системы.

Целевые применения

• Промышленные мотор-приводы и инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы возобновляемой энергетики
• Зарядные станции электромобилей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

650В GaN-технология становится важным шагом в развитии силовой электроники для промышленности, обеспечивая более высокую эффективность и плотность мощности при сохранении требуемой надёжности.

Источник:Electronics For You

Редакция журнала "СТЭК-В" представляет юбилейный, десятый выпуск издания. Номер открывает большое интервью генерального директора АО "НИИЭТ" Павла Куцько, в котором он делится видением развития отечественной микроэлектроники, создания новых разработок и перспективами внедрения российской электронной компонентной базы.

Основные материалы десятого выпуска

• Хочется перейти от этапа становления к этапу процветания (интервью П.П. Куцько)
• Концепция программно-аппаратной системы диагностики микросхем с использованием методов автоматизированной аналитики данных (А.А. Наумов, А.С. Ягодкин)
• Экспериментальное исследование GaN-транзисторов ТНГ-КВ65020П в составе двухтактного усилителя мощности (В.А. Сороцкий и др.)
• Исследование алгоритма адаптивной цифровой фильтрации на основе нейронной сети ADALINE (С.Ю. Колесников, Ю.К. Николаенков)
• Возможности метода ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии при исследовании тонких пленок силицидов Mo-Si
• Этапы микроэлектронного производства и роль измерительного контроля (Д.М. Кирьянов, Д.Г. Бормотов)
• Защита от электромагнитных излучений технических и биологических объектов (А.И. Белоус, Ю.С. Ушеренко)
• Навигационно-связная аппаратура для наземного сегмента космической отрасли (Е.И. Старовойтов)
• Возможные сбои в интегральных схемах (А.Н. Потапов и др.)
• Прогнозирование критической частоты ионосферного слоя F2 с помощью нейронных сетей
• Разработка системы генерации сигналов методом прямого цифрового синтеза
• Автоматизированная система контроля качества микросхем на основе свёрточных нейронных сетей (В.А. Талиманчук, А.А. Коваль)Десятый выпуск журнала "СТЭК-В" продолжает традицию публикации актуальных научных и практических материалов, способствующих развитию отечественной микроэлектроники и радиоэлектронной отрасли.

Журнал приглашает к сотрудничеству авторов научных и технических статей. По вопросам публикации обращайтесь к Константину Зольникову: k.v.zolnikov@niiet.ru.

Источник: Журнал "СТЭК-В" (АО "НИИЭТ")