на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Биполярные транзисторы SUNCOYJ с малым напряжением насыщения

Новости электроники
2 месяца назад

Новые биполярные транзисторы SUNCOYJ с малым напряжением насыщения


Yangzhou Yangjie Electronic Technology (SUNCOYJ) – один из ведущих производителей полупроводников в КНР. Недавно компания анонсировала выпуск биполярных транзисторов с малым напряжением насыщения "коллектор-эмиттер". В настоящее время транзисторы производятся в двух вариантах корпусов (рисунок 1) с соответствующим значением рассеиваемой мощности: SOT-89 мощностью 0,5 Вт (таблица 1) и SOT-223 мощностью 1 Вт (таблица 2).

Особенности новых транзисторов:

  • имеют различные варианты корпусирования: SOT-23, SOT-89, SOT-223 и так далее;
  • идеально подходят для стандартных низковольтных применений, требующих высокой скорости коммутации;
  • устойчивы к разрядам статического электричества;
  • обладают высокой эффективностью и имеют малое время переходных процессов, что снижают потери и выделение тепла;
  • подходят для применений, требующих низкого уровня электромагнитных помех;
  • соответствуют стандартам MSL1 и ROHS

 

Внешний вид и назначение выводов корпусов SOT-89 и SOT-223

Рис. 1. Внешний вид и назначение выводов корпусов SOT-89 и SOT-223

 

Таблица 1. Новые биполярные транзисторы SUNCOYJ мощностью 500 мВт в корпусе SOT-89

Наименование

Полярность

Ток коллектора IC, А

Максимальное напряжение, В

Минимальный коэффициент усиления h21э при VCE/I C

Напряжение насыщения VCE(sat), В, при IC/IB, А

VCEO

VCBO

VEBO

PBSS4350X

NPN

3

50

5

300 при 2 В/1 А

0,37 при 3/0,3

PBSS5240X

PNP

-2

-40

-5

215 при -5 В/-0,5 А

-0,63 при -2/-0,2

PBSS5330X

PNP

-3

-30

-6

175 при -2 В/-1 А

-0,32 при -3/-0,3

PBSS5350X

PNP

-3

-50

-5

200 при -2 В/-1 А

-0,39 при -3/0,3

 

Таблица 2. Новые биполярные транзисторы SUNCOYJ мощностью 1 Вт в корпусе SOT-223

Наименование

Полярность

Ток коллектора IC, А

Максимальное напряжение, В

Минимальный коэффициент усиления h21э при VCE/I C

Напряжение насыщения VCE(sat), В, при IC/IB, А

VCEO

VCBO

VEBO

PBSS4350Z

NPN

3

50

5

200 при 2 В/1 А

0,29 при 2/0,2

PBSS304NZ

NPN

5,2

60

5

300 при 2 В/1 А

0,28 при 5,2/0,26

PBSS304PZ

PNP

-4,5

-60

-5

200 при -2 В/-1

-0,375 при -4,5/-0,225

PBSS5350Z

PNP

-3

-50

-5

200 при -2 В/-1 А

-0,3 при -2/-0,2

PBHV9414Z

PNP

-4

-140

-180

-7

100 при -5 В/-1 А

-0,55 при -4/-0,4

Источник: www.compel.ru

Electronic Components Distributor - HQonline Electronics