Новые 2 и 8Мбит микросхемы обеспечивают время доступа менее 20нс, неограниченное число циклов чтения, записи и восстановления информации и срок сохранности данных более 20 лет. Они представляют собой превосходное решение там, где необходима постоянная высокоскоростная запись данных и абсолютно энергонезависимое, безопасное их хранение. Системы, где требуются данные качества nvSRAM, включают в себя серверы, аппаратуру RAID, промышленные системы управления для тяжелых условий окружающей среды, автомобильную, медицинскую и коммуникационную аппаратуру.
Микросхемы CY14B102 2Mбит nvSRAM и CY14B108 8Mбит nvSRAM отвечают требованиям RoHS и могут напрямую заменить ОЗУ, ОЗУ с поддержкой от батарей, ПЗУ и ППЗУ микросхемы, обеспечивая надежное энергонезависимое хранение данных без использования батарей. Обмен данными между ОЗУ и энергонезависимыми элементами происходит автоматически при отключении питания. При включении, запомненные в энергонезависимой памяти данные переписываются обратно в ОЗУ. Обе этих операции можно выполнить программным путем. Новые микросхемы nvSRAM производятся по 0,13мкм SONOS (кремний оксид нитрид оксид кремний) технологии энергонезависимой памяти компании Cypress, обеспечивающей повышение плотности памяти и улучшение времени доступа и других параметров.
"Благодаря выпуску 2 и 8Мбит nvSRAM микросхем, компания Cypress предлагает наиболее полную коллекцию микросхем на рынке с всемирной доступностью и лучшей поддержкой", - говорит Роберт Данниган (Robert Dunnigan), вице-президент отделения энергонезависимой памяти компании Cypress. "Микросхемы nvSRAM предлагают потребителям лучшее решение скоростной энергонезависимой памяти, и эти микросхемы с увеличенным объемом позволяют новой аппаратуре использовать все их преимущества".
Микросхемы nvSRAM объемом 2 и 8Мбит имеют исполнения с блоком часов реального времени, объединяя самый низкий ток потребления генератора в режиме ожидания с высочайшим качеством встроенной памяти, обеспечивая поддержку хранения данных снабженных временными метками в энергонезависимой памяти. Микросхемы nvSRAM являются лучшим выбором в классе быстрой, энергонезависимой памяти. Они уменьшают занимаемую площадь на печатной плате и сложность конструкции по сравнению с ОЗУ имеющим резервное питание и более экономичны и надежны чем магнитная (MRAM) или ферроэлектрическая (FRAM) память.
Новые микросхемы являются последними в серии nvSRAM компании Cypress, которая так же включает 16, 64 и 256Kбит, 1 и 4Mбит микросхемы поставляемые в настоящее время промышленными партиями.
Лидер в области технологии производства SONOS, компания Cypress будет использовать технологию S8 в следующем поколении PSoC-матриц смешанных сигналов, OvationONS лазерных навигационных датчиках, программируемых тактовых генераторах и другой продукции. Технология SONOS в высокой степени совместима со стандартной КМОП технологией, и обеспечивает массу преимуществ, включая большой ресурс, экономичность и устойчивость к радиации. Кроме того, SONOS обеспечивает получение более надежных, технологичных и недорогих изделий по сравнению с другими технологиями встроенной энергонезависимой памяти.
В настоящее время поставляются образцы 2 и 8Мбит микросхем nvSRAM компании Cypress, начало производства ожидается в третьем квартале 2008 года. Микросхема выпускается в 48-выводном FBGA и 44-х и 54-выводном TSOPII-корпусах. Расширение линейки nvSRAM микросхем компании Cypress имеет аналог от компании Simtek Corporation, как часть сотрудничества этих двух компаний в области разработки.
Источник: terraelectronica.ru