на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Максимальная гибкость разработки с ключами HITFET+

Новости электроники
2 года назад

Максимальная гибкость разработки с ключами HITFET+


Ключи HITFET от Infineon представляют собой MOSFET с температурной защитой. Эти ключи нижнего плеча обладают отличным набором функций, включая защиту от перегрева, короткого замыкания, перегрузки, и устойчивы к электростатическому разряду.

Семейство HITFET+ – это новое поколение на основе новейшей технологии, которая позволила уменьшить габариты до 50% по сравнению с линейкой HITFET. Семейство включает в себя стандартные (BTS3xxxTF/EJ) и полнофункциональные (BTF3xxxEJ/TE) ключи нижнего плеча (от 11 до 125 мОм) в корпусах TO252 (DPAK-3 и DPAK-5) и TDSO-8. Возможность выбора функциональности и корпуса гарантирует соответствие любым применениям. В пределах одного типа корпусов HITFET+ позволяет подобрать подходящий по токовым характеристикам ключ без необходимости замены печатной платы или программного обеспечения.

Полнофункциональные ключи HITFET+ подходят для более широкого спектра требований к частоте переключений и кроме основных стандартных функций предлагают дополнительные возможности:

  • интеллектуальную токовую защиту для применений с высоким пусковым током;
  • динамическую температурную защиту;
  • возможность диагностики с помощью контакта STATUS.

 

Семейство HITFET+ сертифицировано для автомобильной промышленности и оптимизировано для автомобильных и промышленных 12-вольтных применений.

Главные особенности:

  • Встроенные функции защиты;
  • Выбор значений RDS(on) от 125 до 11 мОм;
  • Регулируемый контроль скорости нарастания;
  • Улучшенная интеллектуальная токовая защита;
  • Отдельный сигнал состояния.

 

Функции защиты:

  • Улучшенная защита при коротком замыкании;
  • Ограничение тока по новому принципу;
  • Защита от перенапряжения;
  • Защита от электростатического разряда.

 

Основные преимущества:

  • Высокая гибкость разработки;
  • Возможность применения в схемах управления с высокими требованиями к скорости переключения;
  • Возможность применения в схемах с высоким пусковым током;
  • Повышенная устойчивость при коротком замыкании;
  • Диагностика независимо от входного сигнала (TDSO-8).

 

Схема подключения BTF3035EJ

Рис. 1. Схема подключения BTF3035EJ

 

Применения:

  • Нагрузки нижнего плеча 12 В;
  • Автомобильные и промышленные применения;
  • Все типы резистивных, индуктивных и емкостных нагрузок;
  • Различные типы вентилей;
  • Схемы управления с ШИМ до 20 кГц.

 

Примеры применения:

  • Автомобильные и промышленные применения;
  • Управление реле;
  • Соленоиды;
  • Лампочки/фонари;
  • Обогреватели;
  • Небольшие электродвигатели;
  • Вентиляторы.

 

Таблица. Линейка HITFET+

Наименование ключа

RDS(on), мОм

IL(ном), А

IL(огран), А

IL (огран)-запуск, А

Частота ШИМ, кГц

Диагностика

Корпус

BTS3011TE

11

10

35

70

1

STATUS pin

TO252-5 (DPAK 5-leg)

BTS3035EJ

35

5

20

1

STATUS pin

TDSO-8 EP

BTS3035TF

35

5

20

1

TO252-3 (DPAK)

BTF3035EJ

35

5

14

41

20

STATUS pin

TDSO-8 EP

BTF3050TE

50

3

30

10

Через SPR pin

TO252-5 (DPAK 5-leg)

BTS3050EJ

50

4

15

1

STATUS pin

TDSO-8 EP

BTS3050TF

50

4

15

1

TO252-3 (DPAK)

BTF3050EJ

50

4

10

29

20

STATUS pin

TDSO-8 EP

BTS3060TF

60

3

10,5

1

TO252-3 (DPAK)

BTS3080EJ

80

3

10

1

STATUS pin

TDSO-8 EP

BTS3080TF

80

3

10

1

TO252-3 (DPAK)

BTF3080EJ

80

3

7

18

20

STATUS pin

TDSO-8 EP

BTS3125EJ

125

2

7

1

STATUS pin

TDSO-8 EP

BTS3125TF

125

2

7

1

TO252-3 (DPAK)

BTF3125EJ

125

2

5

12

20

STATUS pin

TDSO-8 EP

 

Источник: www.compel.ru

Electronic Components Distributor - HQonline Electronics