на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств

Новости электроники
1 неделю назад

Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств


Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП-транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость. Транзисторы семейства N100V (таблица 1) предлагаются в двух вариантах корпусов (рисунок 1).

Благодаря значительному коммутируемому току при малых потерях и высокому значению напряжения "сток-исток" новые MOSFET N100V отлично подходят для систем управления аккумуляторными батареями (BMS), накопителей энергии и других сфер применения, где требуется преобразование или коммутация энергии значительной мощности.

Внешний вид корпусов TO-247 (а) и TOLL (б)

Рис. 1. Внешний вид корпусов TO-247 (а) и TOLL (б)

 

Общие параметры новых MOSFET N100V:

  • N-канал;
  • напряжение "сток-исток", VDS: 100 В;
  • максимальное напряжение затвора, VGS: ±20 В;
  • производство по современной технологии Split Gate Trench.

 

Таблица 1. Характеристики транзисторов новой серии N100V

Наименование

Ток стока I D при T c = 25°C, А

Номинальное пороговое напряжение затвора Vth, В

Сопротивление перехода R dson при V GS =10 В, мОм

Общий заряд затвора Qg, нКл

Диапазон рабочих температур кристалла Tj, °C

Корпус

Ном.

Макс.

YJN280G10H

280

2,8

2

2,6

257

-55…150

TO-247

YJN290N10H

290

2,6

1,8

2,4

166

-55…175

TO-247

YJT300G10A

300

2,6

1,2

1,55

166

-55…175

TOLL

YJT300G10H

300

2,8

1,35

1,7

257

-55…175

TOLL

Источник: www.compel.ru


Другие новости ...
Electronic Components Distributor - HQonline Electronics