Компания Vishay Intertechnology представила новые 40 В и 30 В p-канальные Gen III TrenchFET транзисторы SiSS27DN и SiS443DN в компактных корпусах PowerPAK. Оба транзистора имеют крайне низкое сопротивление открытого канала для такого класса приборов, что позволит значительно повысить эффективность, к примеру, в ключевых схемах управления нагрузкой.
Основные преимущества:
сопротивление открытого канала:
SiSS27DN – 5.6 мОм (-10 В) и 9 мОм (-4.5 В),
SiS443DN – 11.7 мОм (-10 В) и 16 МОм (-4.5 В);
компактные инновационные корпуса с высокой теплопередачей;
на 100% протестированы Rg и UIS.
| Наименование | SiSS27DN | SiS443DN | |
| VDS (В) | -30 | -40 | |
| VGS (В) | 20 | 20 | |
| RDS(ON) (мОм) @ | 10 В | 5,6 | 11.7 |
| 6 В | 7 | - | |
| 4.5 В | 9 | 16 | |
| Корпус | PowerPAK 1212-8S | PowerPAK 1212-8 | |
Источник: compel.ru