на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

STP6N120K3 – 1200В MOSFET транзистор по технологии SuperMesh3 - RadioRadar

Новости электроники
12 лет назад

STP6N120K3 – 1200В MOSFET транзистор по технологии SuperMesh3


STP6N120K3 и STW6N120K3 - новые транзисторы компании STMicroelectronics, производимые по технологии SuperMesh3.

Примечательная особенность транзисторов технологии SuperMesh3 серии K3 являются отличные параметры при высокой надежности по привлекательным ценам. Также транзистор имеет встроенный ограничительный диод для защиты затвора.

Отличительные параметры:

    рабочее напряжение: 1200 В;
    сопротивление открытого канала: 1,95 Ом (тип.);
    рабочий ток: 6 А;
    заряд затвора: 34 нК;
    встроенная защита затвора с помощью ограничительного диода;
    корпуса: TO-220 (STP6N120K3) и TO-247 (STW6N120K3).
 


Источник: www.terraelectronica.ru

 

Electronic Components Distributor - HQonline Electronics