на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

1200 В карбид-кремниевые MOSFET от YANGJIE

Новости электроники
1 месяц назад

1200 В карбид-кремниевые MOSFET от YANGJIE – высокая стабильность параметров и скорость переключения


В условиях интенсивного роста рынка инверторов и других преобразователей энергии наблюдается устойчивый спрос на карбид-кремниевые полевые транзисторы (SIC MOSFET). Они становятся особенно популярны благодаря тому, что при совместном использовании с карбид-кремниевыми диодами в составе силовых узлов позволяют значительно увеличить скорость переключения и одновременно с этим повысить эффективность всей системы при оптимальном энергопотреблении.

Компания YANGJIE – крупнейший производитель полупроводниковых дискретных и силовых компонентов – представляет SIC MOSFET собственной разработки. Данные транзисторы отвечают высоким требованиям индустрии по таким показателям, как скорость переключения, пропускная способность по току и высокая надежность. Такие компоненты особенно хорошо подходят для применения в устройствах с повышенными требованиями к уровню управляемости и скорости переключения транзистора.

Отличительной чертой данных SIC MOSFET является стабильность параметров при довольно высоком значении максимальной температуры (до 175°C). Кроме того, эти униполярные устройства с высокой скоростью переключения подходят для высоковольтных и высокочастотных приложений. Благодаря новой технологии производства тонких слоев карбид-кремниевые полевые транзисторы характеризуются низким импедансом, что существенно снижает потери (таблица 1).

Таблица 1. Основные технические параметры SIC MOSFET производства YANGJIE

Наименование

Блоки-рующее напря-жение, В

Ток, A

Поколе-ние

Сверхнизкое сопротив-ление канала в открытом состоянии, мОм @25°C

Заряд затвора, нКл

Выходная емкость, пФ

Рассеива-ние мощнос-ти, Вт

Тепловое сопротив-ление,
°C/Вт

Корпус

YJD21080NCTG1

1200

38

1

77

41

58

220

0,68

TO-247-3L

YJD21080NCFG1

1200

38

1

77

41

58

223

0,67

TO-247-4L

YJD212040NCTG2

1200

66

2

33

116

127

333

0,45

TO-247-3L

YJD212040NCFG2

1200

66

2

33

116

127

333

0,45

TO-247-4L

* Максимальная температура перехода – 175°С.

 

Стоит также отметить, что YANGJIE предлагает на выбор несколько вариантов корпусов, например, TO-247-3L и TO-247-4L (рисунок 1).

SIC MOSFET производства YANGJIE в корпусах TO-247-3L и TO-247-4L

Рис. 1. SIC MOSFET производства YANGJIE в корпусах TO-247-3L (а) и TO-247-4L (б)

 

Высоковольтные карбид-кремниевые полевые транзисторы производства компании YANGJIE изготовлены из экологичных материалов и отвечают требованиям стандартов RoHS. Они прошли все процедуры сертификации в индустрии, включая тесты HTRB, THGB и HV-H3TRB.

 

Варианты применений:

  • солнечные панели;
  • электромобили;
  • зарядные станции;
  • энергоснабжение.

Источник: www.compel.ru

Изготовление печатных плат