Компания Yangzhou Yangjie Electronic Technology выпустила три новых продукта (таблица 1): IGBT в корпусах TO-247 и TO-247 Plus с интегрированным диодом. Транзисторы предназначены для работы в высокочастотных приложениях, таких как зарядные устройства, накопители энергии, солнечные электростанции и различные импульсные преобразователи. Выполненные по технологии Trench-FS, транзисторы обладают лучшим балансом между блокирующей способностью и напряжением насыщения, а также рядом других особенностей:
- стандартный форм-фактор корпуса: TO-247 и TO-247 Plus (рисунок 1);
- напряжение "коллектор-эмиттер": 1200 В;
- ток коллектора: 40 или 75 A;
- максимальная температура перехода: 175°C;
- интегрированный встречно-параллельный диод с "мягким" восстановлением;
- малые напряжение насыщения и потери при переключениях для повышения КПД и экономичности приложений;
- соответствие стандартам RoHS.
Рис. 1. Внешний вид и назначение выводов новых транзисторов в корпусах TO-247 и TO-247 Plus
Таблица 1. Новые транзисторы (IGBT) компании Yangjie
Наименование | Напряжение пробоя (VCE), В | Ток, А, при температуре корпуса (Tс) 100°C | Напряжение насыщения, (VCEsat) при Tj = 25°C, В | Энергия выключения (Eoff), мДж при Tj = 25°C | Корпус | |
коллектора (IC) | диода (IF) | |||||
DGW40N120CTH1A | 1200 | 40 | 40 | 1,85 | 1,38 | TO247 |
DGQ40N120CTH1A | 1200 | 40 | 40 | 1,85 | 1,38 | TO247 Plus |
DGQ75N120CTH1B | 1200 | 75 | 75 | 2,10 | 2,2 | TO247 Plus |
Источник: www.compel.ru