Компания ЭЛТЕХ представляет MOSFET транзистор DI040N03PT-AQ от компании Diotec Semiconductor AG в корпусе QFN3x3.
Компонент DI040N03PT-AQ поставляется в крошечном QFN3x3 "безвыводном" силовом корпусе, где почти все контактные группы "скрыты" на нижней стороне устройства. Таким образом, занимаемое на плате пространство составляет не более 3,3×3,3 мм². Низкое значение параметра RDS (on) (обычно 6 мОм), обеспечивает ток стока до 40 А при температуре корпуса 25 °C. Напряжение Сток-Исток может быть до 30 В, с энергией лавинного перехода для одиночного импульса 100 мДж. Эти MOSFET транзисторы подходят не только для работы в цепи постоянного тока, но и благодаря своим низким значениям включения и выключения также для высокочастотной коммутации.
DI040N03PT-AQ
Типоразмеры и характеристики
- Корпус: QFN3x3;
- Тип монтажа: поверхностный на плату;
- N-канальный силовой MOSFET;
- ID25°C= 40 А;
- RDS(on)~ 6 мОм;
- Tjmax= 150°С;
- VDSS= 30 В;
- PD= 25 Вт;
- EAS= 100 мДж.
Применение:
- USB зарядные устройства;
- Блоки управления питанием;
- Устройства, работающие от батарейки;
- Переключатели нагрузки;
- Защита от неправильной полярности.
Источник: www.eltech.spb.ru